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W632GG8NB-12 TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256MB 256 M x 8 1.425V 1.575V 800MHz SSTL_15 8bit VFBGA-78 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W632GG8NB-12TR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GG8NB-12 TR

W632GG8NB-12 TR概述

    W632GG8NB DDR3 SDRAM 技术手册

    产品简介


    W632GG8NB 是一款高性能的32M × 8 BANKS × 8位DDR3 SDRAM存储器芯片。它广泛应用于各种计算、通信和消费电子设备中,如服务器、工作站、路由器、智能手机和平板电脑等。这款SDRAM具有高容量、高速度和低功耗的特点,非常适合需要大量高速数据存取的应用场景。

    技术参数


    以下是W632GG8NB DDR3 SDRAM的主要技术规格:
    - 容量:32M × 8 BANKS × 8位
    - 接口类型:DDR3 SDRAM
    - 工作电压:1.5V ± 0.075V
    - 工作温度范围:商业级(0°C至+70°C)
    - 频率范围:DDR3-1333、DDR3-1600、DDR3-1866
    - 时序参数:tCL(CAS延迟)可选1.5ns、2ns、2.5ns、3ns、3.5ns、4ns、5ns、6ns、7ns、8ns、9ns、10ns
    - 刷新周期:标准自刷新(ASR)、部分阵列自刷新(PASR)
    - 输入输出信号:单端信号、差分信号(CK/CK#,DQS/DQS#)

    产品特点和优势


    W632GG8NB DDR3 SDRAM具有以下显著特点和优势:
    - 高密度存储:提供高达32M × 8位的存储容量,适用于大容量数据存储需求。
    - 高速传输:支持DDR3-1333、DDR3-1600和DDR3-1866三种频率,能够实现高速数据传输。
    - 低功耗设计:采用先进的电源管理技术,降低功耗,延长设备使用寿命。
    - 强大的纠错能力:集成多种高级错误检测和纠正机制,确保数据的完整性和可靠性。
    - 多功能模式寄存器:支持多种编程模式,满足不同应用的需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    W632GG8NB DDR3 SDRAM在多种应用中得到广泛使用,例如服务器内存、网络交换机缓存、智能电视和智能手机的主存储器。这些应用对高速数据存取和低功耗有较高要求,W632GG8NB完全符合这些要求。
    使用建议
    - 初始化阶段:确保按照手册中的步骤正确执行初始化过程,以避免启动阶段出现错误。
    - 电源管理:在应用过程中,合理管理电源,利用自刷新和部分阵列自刷新功能降低功耗。
    - 热管理:注意芯片的工作温度范围,确保散热良好,避免过热。

    兼容性和支持


    W632GG8NB DDR3 SDRAM与各种主流的CPU和系统平台兼容。厂商提供了详尽的技术文档和丰富的支持资源,包括软件工具、参考设计和测试套件,帮助开发者快速集成和调试。

    常见问题与解决方案


    问题1:初始化失败
    解决方案:仔细检查电源供应是否稳定,确认复位信号正常,严格按照手册中的初始化步骤操作。
    问题2:读写速度慢
    解决方案:检查时钟信号质量和相关信号的布局,确保时序匹配和信号完整性。
    问题3:温度过高
    解决方案:增加散热措施,如安装散热片或风扇,优化系统布局以改善散热条件。

    总结和推荐


    W632GG8NB DDR3 SDRAM是一款集高性能、高可靠性和低功耗于一身的存储器芯片。其广泛的应用范围、丰富的功能特性和出色的兼容性使其成为许多高要求应用的理想选择。经过详细的技术参数和应用案例分析,我们推荐使用此款产品,特别是在需要高性能、高密度存储和低功耗的数据处理环境中。

W632GG8NB-12 TR参数

参数
存储容量 256MB
最大供电电流 -
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 256 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 SSTL_15
通用封装 VFBGA-78
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W632GG8NB-12 TR数据手册

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W632GG8NB-12 TR封装设计

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