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W972GG6KB25I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: Winbond SDRAM, 2Gbit内存, WBGA封装, 16Bit数据总线, 256M x 8 bit, 800MHz, 84引脚
供应商型号: 1882835
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W972GG6KB25I

W972GG6KB25I概述

    W972GG6KB DDR2 SDRAM 技术手册解析

    产品简介


    W972GG6KB 是一款由 Winbond 生产的 2Gbits DDR2 SDRAM,其组织结构为 16,777,216 个字(words)× 8 银行(banks)× 16 位(bits)。这种器件旨在提供高达每引脚 1066Mb/s 的高速传输速率,适用于各种应用。该器件经过不同的速度等级分类,如 DDR2-1066(7-7-7)、DDR2-800(5-5-5 或 6-6-6)和 DDR2-667(5-5-5),以适应不同的温度和工作条件需求。

    技术参数


    - 速度等级:包括 DDR2-1066、DDR2-800 和 DDR2-667。
    - 时钟周期:不同速度等级下有不同的最小和最大时钟周期,如 DDR2-1066 的最小时钟周期为 1.875ns,最大时钟周期为 7.5ns。
    - 时序参数:包括读写命令延迟时间(tRCD)、预充电到激活命令间隔(tRP)、激活到刷新命令间隔(tRC)、激活到预充电命令间隔(tRAS)等。例如,tRCD 最小值为 13.125ns。
    - 刷新间隔:平均周期刷新间隔(tREFI)在不同温度范围内有所差异,如在 -40°C 到 85°C 范围内,最大值为 7.8μs。
    - 电流参数:操作中的一个银行活动-预充电电流(IDD0)最大值为 80mA。

    产品特点和优势


    - 双倍数据率架构:在每个时钟周期进行两次数据传输。
    - 高传输速率:支持高达 1066Mb/s 的数据传输速率。
    - 多种 CAS 延迟:可配置 CAS 延迟为 3、4、5、6 和 7,提供灵活性。
    - 双向差分数据信号:DQS 和 DQS 信号用于同步数据传输。
    - 自动预充电操作:支持读写突发操作后的自动预充电。
    - 低功耗模式:支持预充和活动两种低功耗模式。
    - 封装选项:采用无铅材料的 WBGA 84 球封装,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    - 服务器内存:适合用于高性能服务器,提高数据处理速度。
    - 嵌入式系统:适用于对存储性能有较高要求的嵌入式系统。
    - 工业应用:支持 -40°C 到 95°C 的宽温范围,适合恶劣环境下的工业应用。
    使用建议:
    - 在选择速度等级时,根据具体应用的需求选择合适的型号。
    - 在高温环境下使用时,注意器件的刷新间隔和电流参数。

    兼容性和支持


    - 接口标准:遵循 SSTL18 标准。
    - 封装尺寸:WBGA 84 球封装,尺寸为 8x12.5mm²。
    - 支持服务:制造商提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够获得最佳使用体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题:无法达到预期的传输速率。
    - 解决方案:检查系统时钟频率设置,确认符合器件要求的速度等级。
    - 问题:内存访问错误。
    - 解决方案:检查地址和控制信号,确认符合器件要求的时序参数。
    - 问题:预充电操作失败。
    - 解决方案:确认预充电操作的时序参数符合器件要求,确保正确的操作顺序。

    总结和推荐


    W972GG6KB DDR2 SDRAM 在高性能服务器和嵌入式系统中表现出色,具备高传输速率、多种 CAS 延迟和宽温度范围的优点。对于需要高数据处理能力和稳定性的应用,该器件是一个理想的选择。我们强烈推荐用户在类似应用中使用此器件。

W972GG6KB25I参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 256MB
最大供电电流 155mA
最大时钟频率 400MHz
最大工作供电电压 1.9V
最小工作供电电压 1.7V
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
长*宽*高 12.5mm(长度)*8mm(宽度)
通用封装 TFBGA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

W972GG6KB25I数据手册

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W972GG6KB25I封装设计

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