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W631GG8MB12I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1.425V 1.575V 800MHz Parallel 贴片安装,黏合安装
供应商型号: W631GG8MB12I TR VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 2000
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GG8MB12I TR

W631GG8MB12I TR概述

    # W631GG8MB DDR3 SDRAM 技术手册概述

    产品简介


    W631GG8MB是一款高性能的DDR3 SDRAM电子元器件,提供16M × 8 BANKS × 8 BIT的数据存储能力。它被广泛应用于需要高速数据访问和大容量存储的领域,如计算机内存模块、嵌入式系统和网络设备。该芯片通过其卓越的性能和可靠的设计,在提高系统效率和减少功耗方面表现优异。
    主要功能:
    - 高速数据传输
    - 多位宽支持(8位)
    - 支持多种模式寄存器设置
    - 具备自刷新、部分阵列自刷新等功能
    应用领域:
    - 数据中心
    - 工业控制
    - 通信设备
    - 计算机内存

    技术参数


    以下是W631GG8MB DDR3 SDRAM的一些关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | 存储容量 | 16M × 8 BANKS × 8 BIT |
    | 工作电压范围 | 1.5V ± 0.075V |
    | 最大数据传输速率 | DDR3-1866 |
    | 工作温度范围 | -40°C 至 +85°C |
    | 封装形式 | BGA |

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 低功耗设计:采用先进的电源管理技术,有效降低能耗。
    - 高带宽:支持高达DDR3-1866的速度,满足现代应用对快速数据处理的需求。
    - 灵活配置:多种模式寄存器设置选项,便于根据具体需求进行定制化调整。
    市场竞争力:
    - 出色的性价比,适合大规模部署。
    - 高度可靠性和稳定性,确保长时间运行无故障。
    - 与主流硬件平台的良好兼容性,简化集成过程。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器内存条中作为主存储芯片,支持多任务处理和虚拟化环境。
    - 用于高性能计算环境下的缓冲存储,加速复杂算法执行速度。
    使用建议:
    - 根据实际负载情况合理设置模式寄存器,以获得最佳性能。
    - 注意散热设计,尤其是在高负载条件下运行时。

    兼容性和支持


    W631GG8MB与主流DDR3接口标准完全兼容,并且得到了制造商完善的售后技术支持。客户可以享受到包括但不限于以下服务:
    - 技术咨询
    - 故障诊断
    - 更新升级文档

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确初始化设备?
    解决方案:参考技术手册中的“RESET and Initialization Procedure”章节,按照指导逐步完成初始化步骤即可。
    问题2:如何处理突发读取延迟?
    解决方案:调整Mode Register MR0中的相关设置来优化突发读取延迟参数。

    总结和推荐


    综上所述,W631GG8MB DDR3 SDRAM凭借其强大的功能集、灵活的操作模式及优秀的性价比,在多个行业中展现出强大的竞争力。对于那些寻求高效能、低功耗解决方案的企业和个人来说,这无疑是一个理想的选择。强烈推荐给需要此类产品的客户群体使用。

W631GG8MB12I TR参数

参数
最小工作供电电压 1.425V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

W631GG8MB12I TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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W631GG8MB12I TR封装设计

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