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W9725G8KB25I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256Mb (32M x 8) 1.7V 1.9V 200MHz Parallel 贴片安装
供应商型号: W9725G8KB25I WBGA-60(8X12.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 209
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W9725G8KB25I

W9725G8KB25I概述

    W9725G8KB DDR2 SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    W9725G8KB 是一款高性能的 256M 比特 DDR2 SDRAM 芯片,由 8,388,608 个字节 × 4 银行 × 8 位组成。该芯片支持高达 1066Mb/s 的数据传输速率(DDR2-1066),适用于广泛的通用应用场合。根据不同的速度等级,该芯片分为 -18、-25 和 -3 三个版本,分别符合 DDR2-1066、DDR2-800 和 DDR2-667 的标准规范。

    2. 技术参数


    以下是关键的技术参数列表:
    - 供电电压:VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V
    - 双倍数据速率架构:每个时钟周期传输两次数据
    - CAS 纬度:3, 4, 5, 6 和 7
    - 突发长度:4 和 8
    - 数据掩码(DM):用于写数据
    - 时钟频率范围:
    - DDR2-1066:1.875 ns 至 7.5 ns
    - DDR2-800:2.5 ns 至 8 ns
    - DDR2-667:3 ns 至 8 ns
    - 延迟时间:
    - tRCD(活动到读/写命令延迟):13.125 ns 至 15 ns
    - tRP(预充电到活动命令周期):13.125 ns 至 15 ns
    - tRC(活动到刷新/活动命令周期):58.125 ns 至 60 ns
    - 电流消耗:
    - IDD0(操作电流):最大 70 mA
    - IDD1(单银行操作电流):最大 80 mA
    - IDD4R(突发读操作电流):最大 115 mA
    - IDD4W(突发写操作电流):最大 130 mA

    3. 产品特点和优势


    W9725G8KB 的主要特点包括:
    - 支持双倍数据速率架构,提高数据传输效率
    - 具备多种 CAS 纬度和突发长度选项,适应不同应用需求
    - 内置 DLL(锁相环)以对齐数据和时钟信号
    - 提供灵活的数据掩码功能,确保数据完整性
    - 支持多种电源管理模式,如预充电电源下电模式和主动电源下电模式
    - 使用 SSTL18 接口标准,符合行业规范

    4. 应用案例和使用建议


    W9725G8KB 广泛应用于嵌入式系统、网络设备和消费电子产品中。例如,在服务器内存模块中,可以利用其高带宽和低延迟特性来提升整体系统性能。对于需要高可靠性的应用场景,建议采用 -18 版本以获得最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    W9725G8KB 的封装形式为 WBGA 60 球(8×12.5 mm²),采用无铅材料并符合 RoHS 标准,确保环保合规性。厂商提供全面的技术支持和服务,包括详尽的数据手册和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何正确设置 Mode Register?
    - 解决方案:参考手册第 8.2 节关于 Mode Register 和 Extended Mode Register 的详细说明。
    - 问题 2:如何进行数据掩码操作?
    - 解决方案:查阅第 8.4.5 节中关于 Write Data Mask 的描述。
    - 问题 3:如何进入和退出电源下电模式?
    - 解决方案:参见第 8.9 节和相关章节中的具体步骤和时序图。

    7. 总结和推荐


    总体而言,W9725G8KB 是一款性能卓越、功能丰富的 DDR2 SDRAM 芯片,适合需要高性能和高可靠性的应用环境。推荐给寻求高效能存储解决方案的设计工程师使用。

W9725G8KB25I参数

参数
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.9V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (32M x 8)
最大供电电流 -
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 托盘

W9725G8KB25I数据手册

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W9725G8KB25I封装设计

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