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W632GU8NB09I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256Mx8 1.283V 210mA 1.45V 1.067GHz Parallel 8bit VFBGA 贴片安装
供应商型号: W632GU8NB09I VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GU8NB09I

W632GU8NB09I概述

    W632GU8NB 32M × 8 BANKS × 8 BIT DDR3L SDRAM 技术概述

    产品简介


    W632GU8NB 是一款高性能的 32M × 8 BANKS × 8 BIT DDR3L SDRAM(双倍数据速率第三版低功耗同步动态随机存取存储器)。此产品适用于需要高容量和高带宽的应用场景,广泛应用于嵌入式系统、服务器、图形处理单元等领域。通过支持多种模式寄存器设置,W632GU8NB 提供灵活的配置选项,满足不同系统设计的需求。

    技术参数


    以下是 W632GU8NB 的关键技术规格:
    - 容量:32M × 8 BANKS × 8 BIT
    - 接口类型:DDR3L
    - 时钟频率:支持 DDR3L-1333, DDR3L-1600 和 DDR3L-1866
    - 供电电压:VDD = 1.35V, VDDQ = 1.35V
    - 温度范围:-40°C 至 +85°C
    - 输入/输出:单端和差分信号支持
    - 刷新周期:标准自刷新模式下支持 64ms 刷新周期
    - 功耗:典型工作电流 ≤ 1.2A(根据时钟频率变化)

    产品特点和优势


    W632GU8NB 的主要特点包括:
    - 多模式寄存器支持:允许通过编程调整 DDR3L 的多个参数以优化性能。
    - 低功耗设计:采用 DDR3L 技术,在保证高性能的同时降低了功耗。
    - 增强的可靠性:支持 ZQ 校准命令和动态 ODT(On-Die Termination),提高数据传输的稳定性。
    - 高速操作:支持高达 DDR3L-1866 的时钟频率,适用于高性能计算和存储需求。

    应用案例和使用建议


    W632GU8NB 可用于嵌入式系统、服务器内存模块、图形加速卡等。例如,在服务器中,可以通过设置 MR 寄存器来优化延迟和带宽,从而提升整体系统性能。使用时应注意以下几点:
    - 在初始上电时,确保按照手册中的步骤完成初始化过程,避免因不正确初始化导致的功能异常。
    - 对于超频应用,需密切关注温度变化并采取散热措施,确保符合手册中规定的温度范围。

    兼容性和支持


    W632GU8NB 设计上兼容大多数主流 DDR3L 接口标准,与现有系统容易集成。制造商提供了详尽的技术支持文档及在线咨询服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 检查电源供应是否稳定,重新执行初始化流程 |
    | 数据传输错误 | 确认时钟频率设置正确 |
    | 系统过热导致性能下降 | 使用高效散热装置 |

    总结和推荐


    W632GU8NB 是一款功能强大且高效的 DDR3L SDRAM,凭借其出色的性能表现和灵活的配置选项,在众多领域展现出了显著的竞争优势。对于追求高效率、低功耗的现代电子设备而言,它无疑是一个理想的选择。强烈推荐给需要高性能存储解决方案的设计者和工程师。

W632GU8NB09I参数

参数
最大供电电流 210mA
最大时钟频率 1.067GHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 256Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
通用封装 VFBGA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

W632GU8NB09I数据手册

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W632GU8NB09I封装设计

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