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W631GG8MB-11

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128MB 128Mx8 1.425V 170mA 1.575V 933MHz Parallel 8bit BGA 贴片安装
供应商型号: W631GG8MB-11 VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GG8MB-11

W631GG8MB-11概述

    # W631GG8MB DDR3 SDRAM 技术手册解析

    产品简介


    W631GG8MB 是一款高性能 16M × 8 BANKS × 8 BIT 的 DDR3 SDRAM,专为需要高带宽和低延迟的数据处理应用场景设计。此产品广泛应用于计算机系统、服务器、嵌入式系统以及移动设备等领域。其主要功能包括高速读写操作、多级功耗管理、精确的时序控制及多种电源模式,以满足现代电子设备对高效能存储的需求。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 容量:1GB(16M × 8 BANKS × 8 BIT)
    - 接口:DDR3 SDRAM 双倍速率接口
    - 工作电压:1.5V ± 0.075V
    - 数据传输速率:支持 DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866(具体速度取决于具体速度等级)
    - 操作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
    - 功耗模式:支持自刷新、预充电电源下电模式
    - 输入/输出信号:支持单端输入和差分时钟(CK/CK#)、数据屏蔽(DQM)
    关键电气特性
    - 信号输入容限:支持单端信号和差分信号
    - 输出驱动能力:可编程输出驱动阻抗
    - 时钟抖动:典型值小于 100ps
    - 供电要求:推荐工作电压范围为 1.425V 至 1.575V

    产品特点和优势


    W631GG8MB 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 高带宽:支持 DDR3 的双倍数据速率传输,实现数据吞吐量的最大化。
    2. 低功耗设计:支持多种节能模式(如自刷新和预充电电源下电),降低运行能耗。
    3. 精准时序控制:通过 DLL 和写预偏移功能优化时序,提升数据完整性。
    4. 灵活配置:支持多级模式寄存器配置,适应不同应用场景需求。

    应用案例和使用建议


    W631GG8MB 广泛应用于高性能计算和存储设备中。例如,在服务器系统中,它可以通过自刷新模式维持数据的长期保存;在嵌入式系统中,它可以通过预充电电源下电模式节省能源。以下是一些使用建议:
    1. 在系统设计中确保电源电压稳定,避免超过推荐的工作电压范围。
    2. 使用多级模式寄存器配置优化数据传输速率。
    3. 根据具体应用需求选择合适的自刷新频率和数据传输模式。

    兼容性和支持


    W631GG8MB 与标准 DDR3 接口完全兼容,可直接替换其他品牌 DDR3 内存芯片。厂商提供全面的技术支持,包括详细的设计指南、软件工具和样品测试服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 系统启动失败 | 检查电源电压是否在规定范围内 |
    | 数据传输错误 | 调整模式寄存器设置以优化时序 |
    | 自刷新模式无法启动 | 确保时钟频率符合要求 |

    总结和推荐


    W631GG8MB DDR3 SDRAM 在高带宽、低功耗和灵活性方面的表现尤为突出,是高性能存储解决方案的理想选择。它不仅适用于高性能计算领域,还可以广泛用于嵌入式系统和移动设备中。基于其卓越的性能和可靠性,我们强烈推荐此产品用于需要高效能存储的各类应用。

W631GG8MB-11参数

参数
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 128Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 128MB
最大供电电流 170mA
最大时钟频率 933MHz
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
应用等级 商业级
零件状态 停产
包装方式 托盘

W631GG8MB-11数据手册

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W631GG8MB-11封装设计

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