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W9425G6JB-5 TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256Mb (16M x 16) 16Mx16 2.3V 120mA 2.7V 200MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装,黏合安装 13mm(长度)*8mm(宽度)
供应商型号: W9425G6JB-5 TR TFBGA-60(8X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR概述


    产品简介


    W9425G6JB是一款高性能的CMOS双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),它的组织形式为4,194,304个字 × 4个银行 × 16位。这款存储器可以提供高达每秒400百万个字的数据带宽,适用于个人电脑工业标准,并被分为两种速度等级:5和-5I。其中-5I等级保证在-40°C至85°C的工作温度范围内稳定运行。输入信号的参考时钟边缘是正边沿,除了DQ、DM和CEK之外。读写数据与DQS(数据选通)的两个边沿同步。

    技术参数


    - 时钟周期时间:
    - CL=2:最小7.5 ns,最大12 ns
    - CL=2.5:最小6 ns,最大12 ns
    - CL=3:最小5 ns,最大12 ns

    - 活动到预充电命令周期(tRAS):最小40 ns

    - 活动到刷新/活动命令周期(tRC):最小55 ns

    - 操作电流:
    - 一个银行激活-预充电(IDD0):最大65 mA
    - 一个银行激活-读取-预充电(IDD1):最大80 mA
    - 爆发操作读取(IDD4R):最大120 mA
    - 爆发操作写入(IDD4W):最大115 mA
    - 自动刷新(IDD5):最大65 mA
    - 自刷新(IDD6):最大2 mA

    - 其他参数:
    - 工作电压:2.5V ± 0.2V
    - 最大时钟频率:200 MHz
    - 写入延迟:1
    - 刷新间隔:7.8 μs
    - 刷新周期最大值:8

    产品特点和优势


    W9425G6JB的主要特点包括:
    - 支持DDR架构,每时钟周期进行两次数据传输
    - 支持2、2.5和3的CAS延迟
    - 突出的预充电和自刷新能力
    - 支持DQS和DM信号
    - 包含模式寄存器,可编程设置突发长度、延迟周期和交错或顺序突发模式
    这些特点使其非常适合高性能应用中的主内存使用。

    应用案例和使用建议


    W9425G6JB适用于需要高数据带宽和低功耗的应用场景,例如高性能计算、图形处理等领域。根据手册提供的应用场景,建议在使用时注意电源管理和温度控制,以确保最佳性能。例如,在启动时应严格按照电源启动顺序执行,确保每个阶段的操作都稳定后再进行下一步。

    兼容性和支持


    W9425G6JB采用SSTL2接口标准,并封装为60球TFBGA,使用无铅材料并符合RoHS标准。此外,厂商提供了详细的规格和测试条件,方便用户进行集成和调试。产品还具有良好的兼容性,适用于多种不同的电路设计。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何正确启动W9425G6JB?
    - 答:请严格按照手册中规定的电源启动顺序执行。首先确保电源稳定,然后启动时钟并等待200μs的稳定期,之后进行NOP命令和激活CKE。
    - 问:如何设置模式寄存器以优化性能?
    - 答:通过模式寄存器(MRS)和扩展模式寄存器(EMRS)命令,可以选择合适的突发长度、延迟周期和数据传输模式,以适应具体应用需求。

    总结和推荐


    总体来说,W9425G6JB是一款高性能、低功耗的DDR SDRAM存储器,适合用于各种高性能应用。它具备多种可编程特性,能够根据具体应用需求进行优化。因此,我们强烈推荐该产品作为高性能系统的首选存储器解决方案。如果在使用过程中遇到任何问题,可以参考手册中的详细指南或联系厂商获取技术支持。

W9425G6JB-5 TR参数

参数
最大工作供电电压 2.7V
最小工作供电电压 2.3V
组织 16Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (16M x 16)
最大供电电流 120mA
最大时钟频率 200MHz
长*宽*高 13mm(长度)*8mm(宽度)
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 商用级
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

W9425G6JB-5 TR数据手册

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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W9425G6JB-5 TR W9425G6JB-5 TR数据手册

W9425G6JB-5 TR封装设计

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