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W956D8MBYA5I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1.7V 2V 200MHz HyperBus TFBGA-24 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W956D8MBYA5ITR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W956D8MBYA5I TR

W956D8MBYA5I TR概述


    产品简介


    产品类型与功能
    W956D8MBYA / W956A8MBYA 是一款64兆位(64Mb)的HyperRAM电子元器件。它采用HyperBus接口技术,能够实现高速读写操作,适用于需要高性能存储解决方案的应用场景。
    应用领域
    这些产品广泛应用于嵌入式系统、工业自动化、通信设备以及任何需要高密度、低功耗存储的领域。此外,它们还可以作为高速缓存或缓冲存储器使用。

    技术参数


    - 接口: HyperBus
    - 电源电压: 1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V
    - 最大时钟速率: 200MHz
    - 双数据速率 (DDR): 最高达400MT/s
    - 信号描述:
    - 芯片选择 (CS#)
    - 数据总线 (DQ[7:0])
    - 硬件复位 (RESET#)
    - 读写数据选通 (RWDS)
    - 封装: 24球TFBGA封装
    - 工作温度范围: -40°C 至 +85°C

    产品特点和优势


    - 高性能: 支持高达400MT/s的数据传输率。
    - 低功耗: 配备多种省电模式,如Hybrid Sleep和Deep Power Down。
    - 配置灵活性: 用户可以自定义输出驱动强度、突发长度等配置。
    - 兼容性强: 适用于广泛的系统和应用环境,且封装尺寸紧凑。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在工业自动化控制系统中,这款HyperRAM可以作为高速缓存,以提高系统的响应速度。例如,在实时数据采集和处理系统中,HyperRAM能显著减少数据读写延迟。
    使用建议
    - 在实际应用中,确保电源电压稳定在1.7V~2.0V或2.7V~3.6V范围内,以保证最佳性能。
    - 利用Hybrid Sleep模式进行低功耗操作,以延长系统的运行时间。
    - 配置合适的输出驱动强度,以减少信号干扰和改善系统稳定性。

    兼容性和支持


    W956D8MBYA / W956A8MBYA 与多种系统和设备兼容,特别是那些支持HyperBus接口的系统。Winbond提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 电源不稳定导致系统故障 | 检查并调整电源电压,确保其在指定范围内 |
    | 数据传输速率慢 | 检查时钟信号和相关设置,确保满足最高时钟速率的要求 |
    | 系统进入Deep Power Down模式后无法唤醒 | 确认硬件复位信号(RST#)正确配置,并检查复位信号的电平 |

    总结和推荐


    W956D8MBYA / W956A8MBYA凭借其高性能、低功耗和高度可配置性,是一款非常适合需要高速、高密度存储的应用场合的产品。其广泛的兼容性和良好的技术支持也使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐这些产品给对存储性能要求较高的用户。

W956D8MBYA5I TR参数

参数
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 2V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 HyperBus
通用封装 TFBGA-24
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W956D8MBYA5I TR数据手册

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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W956D8MBYA5I TR W956D8MBYA5I TR数据手册

W956D8MBYA5I TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.3 ¥ 19.435
10+ $ 1.886 ¥ 15.9367
100+ $ 1.5984 ¥ 13.5065
500+ $ 1.5336 ¥ 12.9589
1000+ $ 1.449 ¥ 12.2441
2000+ $ 1.4175 ¥ 11.9779
4000+ $ 1.3125 ¥ 11.0906
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