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W632GU6MB-12

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (128M x 16) 128Mx16 1.283V 210mA 1.45V 800MHz Parallel 16bit VFBGA 贴片安装 13mm(长度)*7.5mm(宽度)
供应商型号: W632GU6MB-12-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GU6MB-12

W632GU6MB-12概述

    W632GU6MB 16M × 8 BANKS × 16 BIT DDR3L SDRAM 技术手册

    1. 产品简介


    W632GU6MB 是一款高性能的DDR3L SDRAM芯片,拥有16M x 8 Banks x 16 Bit的存储结构。这款内存芯片广泛应用于各种高要求的数据处理和存储需求场景,如服务器、工作站以及高端消费电子设备等。

    2. 技术参数


    主要技术规格
    - 存储容量:16M x 8 Banks x 16 Bit
    - 接口类型:DDR3L
    - 工作电压范围:1.35V ± 0.075V
    - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C
    工作条件
    - 推荐的工作条件:
    - 输入信号电压:0.8V 至 VDDQ
    - 输出信号电压:VSSQ 至 VDDQ
    电气特性
    - 电源电流(IDD):最大值为1.5A
    - 输入/输出电容:典型值为3pF
    - 时钟频率:最高可达2133MHz

    3. 产品特点和优势


    W632GU6MB 具备以下显著特点和优势:
    - 低功耗:采用DDR3L技术,支持较低的电源电压,从而降低整体功耗。
    - 高带宽:最大支持2133MHz的时钟频率,提供极高的数据传输速率。
    - 兼容性强:可适用于多种标准的DDR3L主板接口,易于集成到现有的系统中。
    - 高度可靠:具备完善的初始化和自刷新机制,确保数据的长期稳定性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    W632GU6MB 主要用于高性能计算系统、数据中心、游戏电脑等需要大量数据处理的应用场景。例如,在一个服务器环境中,通过并行处理大量数据请求,可以显著提升系统的响应速度和处理能力。
    使用建议
    - 初始化配置:务必按照手册中的初始化步骤进行操作,以确保内存芯片正常启动。
    - 电源管理:合理设置电源电压和频率,以达到最佳功耗和性能平衡。
    - 定期校准:建议定期进行ZQ校准,以保持数据传输的准确性和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:W632GU6MB 支持标准的DDR3L接口,与现有的主板和其他DDR3L内存芯片具有良好的兼容性。
    - 技术支持:制造商提供了详尽的技术文档和在线支持,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法正常启动 | 检查电源电压和频率设置是否正确,确保初始化步骤无误。 |
    | 数据传输错误 | 确认ZQ校准设置正确,重新进行校准。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    W632GU6MB 是一款性能卓越的DDR3L SDRAM芯片,凭借其低功耗、高带宽和可靠性等优势,适用于各种高性能计算和数据处理需求。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用W632GU6MB 在各类高要求的数据处理和存储系统中,特别是在需要高速、低功耗存储解决方案的应用场景。

W632GU6MB-12参数

参数
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (128M x 16)
最大供电电流 210mA
长*宽*高 13mm(长度)*7.5mm(宽度)
通用封装 VFBGA
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
零件状态 停产
包装方式 托盘

W632GU6MB-12数据手册

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W632GU6MB-12封装设计

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