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W987D6HBGX6E TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (8M x 16) 1.7V 1.95V 166MHz Parallel 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR概述


    产品简介


    Winbond W987D6HB / W987D2HB 是一款128Mb低功耗SDRAM(LPSDR),专为移动应用设计,如2.5G/3G手机、PDA、数字相机和移动游戏机。它采用了Winbond高性能工艺技术,具有高密度存储和低功耗的特点。该器件包含134,217,728个存储单元,并能够以最高166MHz的时钟速率同步输出数据。W987D6HB / W987D2HB 支持多种低功耗功能,如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)。

    技术参数


    - 电源电压: VDD = 1.7V~1.95V, VDDQ = 1.7V~1.95V
    - 频率: 166MHz(-6)、133MHz(-75)
    - 工作模式: 全同步模式
    - 功率管理: 部分阵列自刷新(PASR)、深功率下电模式(DPD)
    - 可编程输出缓冲驱动强度
    - CAS延迟: 2 和 3
    - 突发长度: 1, 2, 4, 8 及全页
    - 刷新周期: 4K/64ms
    - 接口: LVCMOS
    - 封装: 54球VFBGA(16位)或90球VFBGA(32位)

    产品特点和优势


    W987D6HB / W987D2HB 的主要优势包括:
    - 低功耗: 在便携式设备中显著降低电池消耗。
    - 高速同步操作: 最高可达166MHz的时钟速率,适合高速数据处理。
    - 多种刷新模式: 支持部分阵列自刷新和自动温度补偿自刷新,确保数据可靠性。
    - 可编程输出缓冲: 用户可根据需求调整输出驱动强度。
    - 广泛的温度适应性: 工业级温度范围(-40°C ~ +85°C)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    W987D6HB / W987D2HB 广泛应用于各类便携设备,如智能手机、PDA和数字相机。例如,在智能手机中,它可用于图像存储和快速数据处理。
    使用建议
    为了最大化W987D6HB / W987D2HB的性能和可靠性,建议用户注意以下几点:
    - 确保电源稳定: 使用1.7V~1.95V的稳定电源,避免电压波动影响器件性能。
    - 适当配置刷新模式: 根据具体应用需求选择合适的自刷新模式。
    - 合理设置突发长度: 确保突发长度与实际读写操作匹配,提高数据传输效率。

    兼容性和支持


    W987D6HB / W987D2HB 支持LVCMOS接口,并提供了两种封装选项:54球VFBGA(16位)和90球VFBGA(32位)。Winbond公司提供全面的技术支持和维护服务,包括产品文档、参考设计和用户指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备无法正常启动
    - 解决方案: 检查电源电压是否稳定在1.7V~1.95V范围内。

    - 问题: 数据读写错误
    - 解决方案: 确认DQM信号配置正确,避免输出缓冲处于高阻状态。

    - 问题: 自刷新模式失效
    - 解决方案: 确认ATCSR功能已启用,并且温度传感器正常工作。

    总结和推荐


    总体而言,Winbond W987D6HB / W987D2HB是一款高性能、低功耗的128Mb低功耗SDRAM,适用于多种移动应用。它的低功耗、高速度和广泛的工作温度范围使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效存储和处理能力的便携式设备,强烈推荐使用此产品。

W987D6HBGX6E TR参数

参数
最大供电电流 -
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (8M x 16)
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

W987D6HBGX6E TR数据手册

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