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W947D2HBJX6E

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (4M x 32) 1.7V 1.95V 166MHz Parallel VFBGA-90 贴片安装
供应商型号: W947D2HBJX6E VFBGA-90(8X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 240
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E概述

    电子元器件技术手册:W947D6HB/W947D2HB

    1. 产品简介


    W947D6HB 和 W947D2HB 是一款高速低功耗双倍数据率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM),适用于移动设备。这种存储器通过突发访问方式实现高效的内存操作,每页内连续的内存位置可以通过激活命令选择一行或多行来访问,支持突发长度为 2、4、8 和 16 的内存地址。此外,它还允许随机列读取,通过提供每个时钟周期的地址来实现。多银行结构支持内部银行之间的交织操作,从而隐藏预充电时间。通过设置可编程模式寄存器,系统可以调整突发长度、延迟周期、交错或顺序突发以最大化性能。此外,该设备支持部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)等特殊低功耗功能。

    2. 技术参数


    - 电压范围:VDD = 1.7~1.95V,VDDQ = 1.7~1.95V
    - 数据宽度:x16/x32
    - 时钟频率:200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75)
    - 温度范围:
    - 扩展级:-25°C 至 +85°C
    - 工业级:-40°C 至 +85°C
    - 封装:60 球 VFBGA(x16),90 球 VFBGA(x32)

    3. 产品特点和优势


    W947D6HB/W947D2HB 的主要特点包括:
    - 支持部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)
    - 提供深度掉电模式(DPD 模式)
    - 可编程输出缓冲驱动强度
    - 四个内部银行用于并发操作
    - 数据掩码(DM)支持写入数据
    - 双倍数据速率输出
    - CAS 延迟:2 和 3
    - 突发长度:2、4、8 和 16
    - 接口:LVCMOS 兼容

    4. 应用案例和使用建议


    这些存储器广泛应用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中。为了充分发挥其性能,建议在设计中合理利用其低功耗特性和可编程选项。例如,在不需要高性能时启用深度掉电模式以节省电量;根据具体的应用需求调整突发长度和延迟周期以达到最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    W947D6HB/W947D2HB 与大多数主流移动平台兼容,制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:设备无法正常启动。
    - 解决方法:检查电源电压是否符合要求,确认所有必要的信号线连接正确。
    - 问题:数据传输错误频繁发生。
    - 解决方法:增加信号的稳定性,可能需要调整外部电路的设计。

    7. 总结和推荐


    总体而言,W947D6HB/W947D2HB 是一款高效且可靠的移动 LPDDR 存储器,适合各种高端移动设备。它的低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择。强烈推荐给需要高性能和长续航能力的项目。

W947D2HBJX6E参数

参数
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (4M x 32)
最大供电电流 -
最大时钟频率 166MHz
通用封装 VFBGA-90
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W947D2HBJX6E数据手册

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W947D2HBJX6E封装设计

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