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W9425G6KH-5I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: Winbond SDRAM, 256Mbit内存, TSOP封装, 16Bit数据总线, 32M x 8 bit, 200MHz, 66引脚
供应商型号: 454-W9425G6KH-5I
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I概述

    W9425G6KH DDR SDRAM 技术手册概述

    1. 产品简介


    W9425G6KH 是一款基于CMOS工艺的双倍数据率同步动态随机存储器(DDR SDRAM),组织结构为4,194,304字×4个银行×16位。这款芯片提供了高达每秒400万个字的数据带宽,适用于高性能应用的主存储器。W9425G6KH符合个人计算机行业标准,并分为两种速度等级:5和-5I。其中-5I工业级可保证工作温度范围在-40°C至85°C之间。

    2. 技术参数


    W9425G6KH的主要技术参数如下:
    - 供电电压: 2.5V ± 0.2V(DDR400)
    - 时钟频率: 最高可达200MHz
    - 架构: 双倍数据率架构,每个时钟周期完成两次数据传输
    - 差分时钟输入: CLK和CLK
    - DQS: 在读操作中与数据边缘对齐,在写操作中与数据中心对齐
    - CAS延迟: 2, 2.5 和 3
    - 突发长度: 2, 4 和 8
    - 自动刷新和自刷新
    - 预充电功率下降和活动功率下降
    - 写数据掩码
    - 写延迟: 1
    - 刷新间隔: 7.8µS(8K/64 mS 刷新)
    - 最大突发刷新周期: 8
    - 接口: SSTL2
    - 封装: TSOP II 66针,采用无铅材料并符合RoHS标准

    3. 产品特点和优势


    - 广泛的应用范围: 高速性能使其适用于各种高性能应用,如个人电脑和服务器。
    - 耐温性: -5I工业级型号可在极端环境下稳定运行。
    - 电源管理: 支持多种功耗模式,包括预充电功率下降和活动功率下降。
    - 灵活的编程能力: 通过可编程模式寄存器,可以调整突发长度、延迟周期等,以最大化系统性能。
    - 低功耗: 功耗仅为2mA。

    4. 应用案例和使用建议


    W9425G6KH 主要应用于高速计算和存储需求高的场合,例如服务器、工作站和个人电脑等。为了确保最佳性能,建议在设计电路板时考虑以下几个方面:
    - 确保稳定的电源供应,特别是VDD和VDDQ的电源线要尽量短且宽度足够。
    - 使用正确的上拉电阻,特别是在DQS信号线上。
    - 良好的散热设计,尤其是对于-5I工业级产品,在高温环境中需要额外注意散热。

    5. 兼容性和支持


    W9425G6KH 与DDR SDRAM的标准接口兼容,易于集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持文档和售后服务,帮助用户解决在使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题: 无法正确读取数据
    - 解决方法: 检查时钟信号的相位是否正确,确认DQS信号与数据边缘对齐。

    2. 问题: 写入数据丢失
    - 解决方法: 确认写使能信号(WE)和写数据掩码(DM)正确配置,检查地址和控制信号的电平转换。
    3. 问题: 刷新过程中数据丢失
    - 解决方法: 检查刷新命令是否按规范执行,确认刷新间隔设置正确。

    7. 总结和推荐


    W9425G6KH是一款功能强大且灵活的DDR SDRAM,具有出色的性能和广泛的适用性。其独特的功能和优点使其成为高性能应用的理想选择。如果你正在寻找高性能的存储解决方案,W9425G6KH无疑是一个值得考虑的产品。然而,为了确保最佳效果,建议在集成前仔细参考技术手册,并根据具体应用需求进行相应的设计和测试。

W9425G6KH-5I参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (16M x 16)
最大供电电流 120mA
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 2.7V
最小工作供电电压 2.3V
组织 16Mx16
数据总线宽度 16bit
长*宽*高 22.35mm*10.29mm*1.05mm
通用封装 TSOP-66
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W9425G6KH-5I数据手册

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W9425G6KH-5I封装设计

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