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W948D2FBJX5I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256Mb (8M x 32) 1.7V 1.95V 200MHz Parallel VFBGA-90 贴片安装
供应商型号: W948D2FBJX5I TR VFBGA-90(8X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W948D2FBJX5I TR

W948D2FBJX5I TR概述

    # W948D6FB/W948D2FB 256Mb Mobile LPDDR 技术手册

    1. 产品简介


    W948D6FB/W948D2FB 是一款高性能的低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, LPDDR SDRAM)。这种存储器以其高效的性能和广泛的应用范围而闻名。它能够以突发模式访问连续内存位置,支持多种工作模式和参数设置,适用于多种移动设备和嵌入式系统。这款存储器具有数据宽度为 x16 和 x32 的版本,并支持多个内部银行以实现并发操作。其主要功能包括部分阵列自刷新(Partial Array Self-Refresh, PASR)、自动温度补偿自刷新(Auto Temperature Compensated Self-Refresh, ATCSR)以及深功率下降模式(Deep Power Down Mode, DPD Mode),这些功能使其成为移动设备的理想选择。
    主要特点
    - 工作电压范围:VDD = 1.7~1.95V, VDDQ = 1.7~1.95V
    - 数据宽度:x16 / x32
    - 时钟频率:200MHz (-5), 166MHz (-6), 133MHz (-75)
    - 突发长度:2, 4, 8, 16
    - 突发类型:顺序或交错
    - 刷新周期:64ms
    - 支持多种电源管理模式,包括深度功率下降模式
    - 双倍数据率输出

    2. 技术参数


    电气特性
    - 工作电压范围:1.7V 至 1.95V
    - 输入/输出电容:4pF
    - 时钟频率:200MHz (-5), 166MHz (-6), 133MHz (-75)
    性能参数
    - CAS延迟:2 和 3
    - 突发长度:2, 4, 8 和 16
    - 突发类型:顺序或交错
    - 刷新周期:64ms
    工作环境
    - 扩展级:-25°C 至 +85°C
    - 工业级:-40°C 至 +85°C

    3. 产品特点和优势


    W948D6FB/W948D2FB 具有多项独特的功能和优势,使其在市场上具有竞争力。其中包括:
    - 支持多种电源管理模式,降低功耗。
    - 多个内部银行支持并发操作,提高数据处理效率。
    - 双倍数据率输出,提升数据传输速度。
    - 部分阵列自刷新和自动温度补偿自刷新功能,确保数据安全和稳定性。
    - 支持 LVCMOS 接口,易于集成到各种系统中。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    W948D6FB/W948D2FB 广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式导航设备等移动设备中。其高效的性能和低功耗特性使得它非常适合需要高性能和长电池寿命的应用场景。
    使用建议
    - 在设计电路时,应确保电源电压稳定在 1.7V 至 1.95V 范围内。
    - 根据具体应用需求选择合适的突发长度和突发类型。
    - 定期进行刷新操作,以保持数据完整性。

    5. 兼容性和支持


    W948D6FB/W948D2FB 支持多种封装形式,包括 60 球 VFBGA 和 90 球 VFBGA。厂商提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户快速解决问题并优化产品性能。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 存储器无法正常工作。
    2. 数据传输速率较低。
    3. 温度过高影响性能。
    解决方案
    1. 检查电源电压是否符合要求,确保所有连接正确无误。
    2. 调整突发长度和突发类型设置,优化数据传输路径。
    3. 启用自动温度补偿自刷新功能,维持适宜的工作温度。

    7. 总结和推荐


    综上所述,W948D6FB/W948D2FB 是一款功能强大且可靠的 LPDDR 存储器,适合多种高端电子设备。它提供了优秀的性能表现和多样化的配置选项,是移动设备领域的理想选择。因此,我们强烈推荐此款存储器用于需要高效能和低功耗的应用场景。

W948D2FBJX5I TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (8M x 32)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
通用封装 VFBGA-90
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W948D2FBJX5I TR数据手册

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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W948D2FBJX5I TR W948D2FBJX5I TR数据手册

W948D2FBJX5I TR封装设计

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