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W9425G6KH-5I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256Mb (16M x 16) 2.3V 2.7V 200MHz Parallel TSOP-66 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W9425G6KH-5ITR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W9425G6KH-5I TR

W9425G6KH-5I TR概述


    产品简介


    W9425G6KH 是一种双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),它以4,194,304字 × 4个银行 × 16位的方式组织。W9425G6KH 可提供高达每秒400百万字的数据带宽。为了完全符合个人计算机工业标准,W9425G6KH 被分为两种速度等级:5和-5I。-5和-5I等级符合DDR400/CL3规范(-5I工业等级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C)。所有输入参考正CLK边缘(除了DQ、DM和CKE)。差分时钟输入(CLK和CLK)的时序参考点是在CLK和CLK信号交叉时进行转换。读写数据与DQS(数据选通)的两个边沿同步。

    技术参数


    - 电源电压:2.5V ± 0.2V
    - 时钟频率:最高可达200MHz
    - 数据率架构:双倍数据率架构;每个时钟周期进行两次数据传输
    - 时钟输入:差分时钟输入(CLK和CLK)
    - 数据选通(DQS):读操作时与数据边缘对齐;写操作时与数据中心对齐
    - CAS延迟(CAS Latency):2、2.5和3
    - 突发长度(Burst Length):2、4和8
    - 自刷新和自动刷新:支持
    - 预充电和活动功率下降:支持
    - 写数据掩码:支持
    - 写延迟:1
    - 刷新间隔:7.8μS(8K/64mS刷新)
    - 最大突发刷新周期:8
    - 接口:SSTL2
    - 封装:TSOP II 66针,无铅材料,符合RoHS标准

    产品特点和优势


    W9425G6KH 在高性能应用中表现卓越,可以改变突发长度、潜伏期周期、交错或顺序突发,以最大化其性能。它具有双倍数据率架构,在每个时钟周期内进行两次数据传输,从而显著提高数据带宽。此外,它还支持多种刷新模式和不同的时钟频率,确保系统稳定运行。

    应用案例和使用建议


    W9425G6KH 适用于需要高带宽和高速数据传输的应用场景,如服务器、工作站和高端个人计算机。实际使用中,可以通过调整突发长度和时钟频率来优化性能。对于内存密集型应用,如大数据处理和高性能计算,建议使用更高的时钟频率以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    W9425G6KH 采用TSOP II 66针封装,与主流主板和插槽兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户在使用过程中能够获得必要的技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:无法正确读取数据
    - 解决方案:检查时钟频率和电源电压是否符合规定范围。

    - 问题:无法正确执行写操作
    - 解决方案:确认写掩码设置正确,并检查DQS信号是否与数据同步。

    总结和推荐


    W9425G6KH 是一款性能优越的DDR SDRAM,具备高性能、高可靠性和良好的兼容性。对于需要高数据传输速率和稳定性的应用场景,W9425G6KH 是一个理想的选择。因此,我强烈推荐使用此产品。

W9425G6KH-5I TR参数

参数
最小工作供电电压 2.3V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (16M x 16)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 2.7V
通用封装 TSOP-66
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W9425G6KH-5I TR数据手册

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W9425G6KH-5I TR封装设计

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