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W948D6KBHX5E TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1.7V 1.95V 200MHz Parallel 贴片安装,黏合安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W948D6KBHX5E TR

W948D6KBHX5E TR概述

    W948D6KBHX:256Mb Mobile LPDDR SDRAM 技术手册解析

    产品简介


    W948D6KBHX 是一款高性能的低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)。这款存储器在访问时采用突发方式,即连续的内存位置可以在一次操作中按2、4、8或16的数据长度被访问。此外,它具备多个内部银行,能够实现不同银行间的交错操作,从而掩盖预充电时间。W948D6KBHX 还支持多种低功耗功能,如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR),非常适合于移动设备和嵌入式系统中使用。

    技术参数


    W948D6KBHX 的主要技术参数如下:
    - 供电电压范围:VDD = 1.7~1.95V,VDDQ = 1.7~1.95V
    - 数据位宽:x16
    - 时钟速率:200 MHz (-5),166 MHz (-6)
    - 自刷新模式:标准自刷新、部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)
    - 功耗模式:低功耗模式、深度低功耗模式(DPD)
    - 程序化输出缓冲驱动强度
    - 内部银行数量:4个,用于并发操作
    - 双倍数据率:数据输出时钟信号频率翻倍
    - 接口:LVCMOS 兼容
    - 封装尺寸:60球 VFBGA

    产品特点和优势


    W948D6KBHX 的独特功能和优势包括:
    - 支持多种低功耗模式,能够在不同应用场景下优化能耗。
    - 高效的并发操作能力,可以同时处理多个内存请求,提高系统性能。
    - 程序化的输出驱动强度,可以灵活适应不同的电气负载需求。
    - 支持自动预充电选项,提高系统的整体效率。

    应用案例和使用建议


    W948D6KBHX 适合用于移动设备、智能手机和平板电脑等移动设备中。例如,在智能手机中,由于对功耗要求较高,可以通过设置部分阵列自刷新和自动温度补偿自刷新功能来延长电池寿命。另外,也可以根据具体的应用需求调整内存的操作模式,如通过编程模式寄存器来改变突发长度和延迟周期。
    使用建议:
    1. 在需要高数据传输速率的应用中,可以选择200 MHz的型号。
    2. 在功耗敏感的应用中,可以开启深度低功耗模式。
    3. 调整输出驱动强度以匹配外部负载,确保信号完整性。

    兼容性和支持


    W948D6KBHX 采用了 LVCMOS 兼容接口,易于与其他数字电路集成。它还支持60球 VFBGA 封装,使得它在空间有限的应用中具有很好的灵活性。制造商提供详细的技术支持文档,帮助用户解决可能出现的技术问题。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,这里列出几个常见的问题及其解决方法:
    1. Q:电源电压不符合要求?
    - A: 检查并确保 VDD 和 VDDQ 电压都在 1.7~1.95V 范围内。

    2. Q:时钟信号不稳定?
    - A: 确认 CK 和 CK 输入信号为差分信号,并且与 CK 和 CK 信号同步。

    3. Q:数据输出异常?
    - A: 检查数据输出引脚 DQ0~DQ15 是否连接正确,且检查输入掩码信号 UDM 和 LDM 是否正确配置。

    总结和推荐


    综上所述,W948D6KBHX 是一款适用于多种高性能、低功耗应用场景的移动 LPDDR SDRAM。它的独特功能如低功耗模式和多种预充电选项,使其在市场上具备很强的竞争优势。总体而言,W948D6KBHX 是一个值得推荐的产品,适用于对性能和功耗都有较高要求的应用场景。

W948D6KBHX5E TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W948D6KBHX5E TR数据手册

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W948D6KBHX5E TR封装设计

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