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W631GG6MB11I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1.425V 1.575V 933MHz Parallel 贴片安装
供应商型号: W631GG6MB11I VFBGA-96(7.5X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 198
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GG6MB11I

W631GG6MB11I概述

    W631GG6MB 电子元器件技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: W631GG6MB 是一款基于 DDR3 技术的高性能 SDRAM,提供高容量存储解决方案,适用于高速数据处理和传输场景。
    主要功能:
    - 容量:8M × 8 Banks × 16 Bit
    - 支持多种模式寄存器设置(MR0-MR3),以满足不同应用场景需求。
    - 具备动态自刷新、部分阵列自刷新(PASR)等功能。
    应用领域:
    广泛应用于服务器、工作站、高性能计算设备等领域,是数据中心存储扩展的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 参数值 |

    | 存储容量 | 8M × 8 Banks × 16 Bit |
    | 工作电压 | 1.35V ± 0.075V |
    | 最大时钟频率 | 1866 MHz |
    | 接口类型 | DDR3 双倍数据速率接口 |
    | 温度范围 | 工业级:-40°C 至 +85°C |
    性能参数:
    - 数据带宽:最高可达 29.86 GB/s
    - CAS 级延迟:CL=7/8/9/10/11/13/15
    - 增强型 DLL 功能,确保时序稳定
    - 支持写恢复、写偏移校准(Write Leveling)
    工作环境:
    - 供电电压:需精确调节至指定范围
    - 温度范围适应性强,适合严苛工业环境

    3. 产品特点和优势


    - 高性能: 高速数据传输,支持 DDR3-1866 的最大频率。
    - 灵活性: 多种模式寄存器设置,可针对不同工作条件进行优化。
    - 节能性: 在功耗管理方面表现优异,支持预充电电源下电模式。
    - 可靠性: 拥有完善的自刷新、动态 ODT 和 ZQ 校准机制,确保长期运行稳定性。
    市场竞争力:
    相比同类 DDR3 SDRAM,该产品具备更灵活的配置选项和更低的功耗特性,非常适合对性能要求高的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 数据中心存储扩展:用于服务器内存条。
    - 高性能计算:支持 HPC(高性能计算)系统快速数据处理需求。
    - 实时图像处理:例如视频监控、工业自动化中的存储需求。
    使用建议:
    - 确保系统时钟频率设置正确,避免因频率不匹配导致的性能下降。
    - 在高负载情况下启用动态 ODT,以降低信号反射噪声。
    - 定期执行 ZQ 校准操作,确保输出阻抗稳定。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与主流 DDR3 控制器和主板完全兼容。
    - 支持: 提供详细的技术文档和厂商技术支持,协助客户快速部署。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 检查电源电压和时钟频率 |
    | 写入速度慢 | 调整模式寄存器设置 |
    | 温度过高 | 改善散热设计或调整工作温度|

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    W631GG6MB 是一款面向高端应用的 DDR3 SDRAM,具备高性能、低功耗和高可靠性的特点。它通过多样化的配置选项和丰富的功能集,在存储市场具有很强的竞争力。
    推荐结论:
    对于需要高带宽、低延迟存储的系统,W631GG6MB 是非常值得推荐的产品。无论是数据中心还是高性能计算领域,该产品都能显著提升系统的整体性能和效率。

W631GG6MB11I参数

参数
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 -
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

W631GG6MB11I数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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W631GG6MB11I封装设计

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