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W949D6DBHX5E

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 512Mb (32M x 16) 32Mx16 1.7V 75mA 1.95V 200MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装 9mm*8mm*660μm
供应商型号: W949D6DBHX5E VFBGA-60(8X9)
供应商: 期货订购
标准整包数: 312
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W949D6DBHX5E

W949D6DBHX5E概述

    # 高性能LPDDR SDRAM的技术概述

    产品简介


    W949D6DB/W949D2DB是一款高效率的低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器(LPDDR SDRAM),以其卓越的性能和广泛的适用性在市场上占据一席之地。这种存储器采用双倍数据速率技术,在时钟的上升沿和下降沿同时传输数据,从而实现每秒更高的数据传输率。这款LPDDR SDRAM主要用于移动设备如智能手机和平板电脑,其特点是数据宽度可选x16或x32,适应不同设备的需求。

    技术参数


    - 电压范围: VDD=1.7~1.95V, VDDQ=1.7~1.95V
    - 时钟频率: 200MHz(-5),166MHz(-6)
    - 刷新周期: 64ms
    - 模式寄存器: 可编程,支持多种操作模式如Partial Array Self Refresh (PASR)和Automatic Temperature Compensated Self Refresh (ATCSR)
    - 接口: 兼容LVCMOS
    - 封装选项: 60球VFBGA(x16),90球VFBGA(x32)
    - 温度范围: 工业级(-40°C~+85°C),扩展级(-25°C~+85°C)

    产品特点和优势


    W949D6DB/W949D2DB拥有众多显著特点,使其在市场上具备强大的竞争力。其中包括双倍数据速率输出、自动预充电功能、支持多种数据宽度以满足不同的设计需求。此外,其内置的四个内部银行允许并发操作,提高系统的运行效率。特别是其节能模式,如深度功率下降模式(Deep Power Down Mode),使得该产品在非活动状态下的能耗极低,非常适合便携式设备。

    应用案例和使用建议


    此LPDDR SDRAM被广泛应用于移动设备中,如智能手机、平板电脑等。对于设计师而言,建议根据具体的应用场景选择合适的数据宽度和频率,同时确保良好的散热管理以保持设备性能稳定。此外,在系统设计初期考虑LPDDR SDRAM的信号完整性问题也至关重要,这将直接影响到系统的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    该产品设计上充分考虑到与其他组件的兼容性问题,提供了多种封装选项,并且支持LVCMOS接口标准,便于集成至现有系统中。厂商通常还会提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速完成产品的开发与部署。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 数据传输错误频繁出现。
    - 解决方法: 检查并调整电源电压,确保符合规定范围;检查信号完整性,必要时添加去耦电容。

    - 问题: 系统初始化失败。
    - 解决方法: 核对所有连接线缆是否正确无误;确保初始化流程按照官方指南执行;更新固件版本至最新版。

    总结和推荐


    综上所述,W949D6DB/W949D2DB凭借其高效能、低功耗以及广泛的适用性,无疑是一款值得信赖的选择。它不仅能够满足当前主流移动设备的需求,还具备未来升级潜力。因此,强烈推荐给那些寻求高性能存储解决方案的企业和个人用户。

W949D6DBHX5E参数

参数
最小工作供电电压 1.7V
组织 32Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 512Mb (32M x 16)
最大供电电流 75mA
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
长*宽*高 9mm*8mm*660μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W949D6DBHX5E数据手册

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W949D6DBHX5E封装设计

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