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W987D6HBGX7E TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (8M x 16) 8Mx16 1.7V 70mA 1.95V 133MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装 9mm*8mm*660μm
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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR概述

    W987D6HB / W987D2HB 128Mb Mobile LPSDR 技术手册

    产品简介


    W987D6HB / W987D2HB 是一款由Winbond生产的低功耗同步动态随机存储器(Low Power SDRAM),容量为128兆位(128Mb)。该器件采用了高性能制造工艺技术,专为电池供电的应用设计,具备较低的功耗。它支持两种组织方式:1,048,576字 × 4银行 × 32位 或 2,097,152字 × 4银行 × 16位。这款低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机以及其他手持设备,特别适合需要高内存密度且功耗较低的应用场合。该设备的工作电压范围是1.7V至1.95V,并支持1.8V的LVCMOS总线接口。

    技术参数


    - 电源电压:VDD = 1.7V~1.95V,VDDQ = 1.7V~1.95V
    - 频率:166 MHz(-6型号)或133 MHz(-75型号)
    - 编程部分阵列自刷新:支持
    - 低功耗模式:支持电源下电模式(Power Down Mode)和深度电源下电模式(Deep Power Down Mode, DPD)
    - 自动温度补偿自刷新:支持
    - CAS延迟:2和3
    - 突发长度:1、2、4、8和全页
    - 刷新周期:4K刷新周期/64ms
    - 接口:LVCMOS
    - 封装支持:54球VFBGA(x16)或90球VFBGA(x32)
    - 工作温度范围:工业级(-40°C ~ +85°C)

    产品特点和优势


    1. 低功耗:通过特殊的低功耗功能,如部分阵列自刷新(Partial Array Self Refresh, PASR)和自动温度补偿自刷新(Automatic Temperature Compensated Self Refresh, ATCSR),显著降低功耗。
    2. 高速读写能力:能够以高达166 MHz的时钟率进行数据传输,适用于高速数据处理需求。
    3. 灵活的组织方式:支持多种组织方式,可满足不同应用需求。
    4. 多样化的封装选项:提供54球和90球两种VFBGA封装,方便不同尺寸和引脚数的需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动设备:该器件广泛应用于智能手机、平板电脑等移动设备中,特别是在需要较大内存容量且功耗较低的应用场合。
    - 便携式设备:如数码相机、游戏机等设备,要求内存具有高性能和低功耗。
    使用建议
    - 在选择封装时,可以根据设备的空间和引脚需求来选择合适的封装形式(54球或90球VFBGA)。
    - 对于高温或低温环境下工作的应用,建议开启自动温度补偿自刷新功能,以确保数据稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 该产品支持1.8V的LVCMOS接口,可以方便地与各种主流接口兼容。
    - 厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括电气特性、工作环境等信息,以便用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境中设备不稳定
    - 解决方案:开启自动温度补偿自刷新功能,确保在高温环境下仍能保持良好的数据稳定性。

    2. 问题:设备无法正常启动
    - 解决方案:检查电源电压是否在1.7V到1.95V之间,确认是否有正确的引脚连接和配置。

    3. 问题:读写速度慢
    - 解决方案:检查系统时钟频率设置,确保时钟频率在166 MHz或133 MHz范围内,调整猝发长度(Burst Length)和CAS延迟设置,以提高读写速度。

    总结和推荐


    总体来说,W987D6HB / W987D2HB是一款优秀的低功耗同步动态随机存储器,具有强大的功能和广泛的应用范围。其低功耗设计使其特别适用于电池供电的便携式设备。其多样化的封装选项和灵活的组织方式,使得它在多种应用场景中都能表现出色。强烈推荐该产品用于需要高性能和低功耗的嵌入式应用中。
    希望以上内容能帮助您全面了解和使用W987D6HB / W987D2HB这一款低功耗SDRAM产品。

W987D6HBGX7E TR参数

参数
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 8Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (8M x 16)
最大供电电流 70mA
最大时钟频率 133MHz
长*宽*高 9mm*8mm*660μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

W987D6HBGX7E TR数据手册

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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W987D6HBGX7E TR W987D6HBGX7E TR数据手册

W987D6HBGX7E TR封装设计

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