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TIP35C

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 意法半导体 NPN晶体管, TO-247封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流25 A, 最大集电极-发射电压100 V
供应商型号: 31M-TIP35C
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) TIP35C

TIP35C概述


    产品简介


    TIP35C 和 TIP36C 器件是互补功率晶体管,适用于通用和音频放大器领域。这些器件采用平面技术制造,具有“基岛”布局,表现出高增益性能和极低饱和电压的特点。通过精心设计,TIP35C(NPN型)和TIP36C(PNP型)晶体管不仅在电气性能上表现卓越,还在各种应用环境中展现出可靠性和稳定性。

    技术参数


    以下是TIP35C和TIP36C的主要技术参数,涵盖电气评级、绝对最大额定值、热数据及电气特性:
    电气评级
    - VCBO:集电极-基极电压(IE=0)为100 V
    - VCEO:集电极-发射极电压(IB=0)为100 V
    - VEBO:发射极-基极电压(IC=0)为5 V
    - IC:集电极电流为25 A
    - ICM:集电极峰值电流(tP<5 ms)为50 A
    - IB:基极电流为5 A
    - Ptot:总耗散功率在Tcase=25°C时为125 W
    - Tstg:存储温度范围为-65°C至150°C
    - TJ:最大工作结温为150°C
    绝对最大额定值
    - Rthj-case:结到外壳的热阻最大为1°C/W
    电气特性
    - ICEO:集电极截止电流(IB=0),VCE=60 V 时为1 mA
    - IEBO:发射极截止电流(IC=0),VEB=5 V 时为1 mA
    - ICES:集电极截止电流(VBE=0),VCE=100 V 时为0.7 mA
    - VCEO(sus):集电极-发射极维持电压(IB=0),IC=30 mA 时为100 V
    - VCE(sat):集电极-发射极饱和电压,IC=15 A 时为1.8 V,IC=25 A 时为4 V
    - VBE(on):基极-发射极导通电压,IC=15 A 时为2 V,IC=25 A 时为4 V
    - hFE:直流电流增益,IC=1.5 A 时为25,IC=15 A 时为10
    - fT:转换频率,IC=1 A 时为3 MHz

    产品特点和优势


    TIP35C和TIP36C具有以下独特优势:
    1. 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压极低,可以实现更高的效率。
    2. 高增益性能:卓越的直流电流增益,确保在各种应用中的可靠性。
    3. 互补结构:NPN和PNP类型的互补性设计使其易于构建完整的电路系统。
    4. 宽温度范围:能够在极端环境下保持稳定的性能,适用于严苛的应用场景。
    5. 高可靠性:采用先进的制造工艺,确保长期稳定性和高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 通用用途:适用于各种通用电子产品和自动化控制系统。
    - 音频放大器:用于高性能音频放大器,如音响系统和专业音频设备。
    使用建议
    1. 注意散热管理:尽管具有较高的散热能力,但在大电流工作条件下仍需注意散热管理。
    2. 合理选择型号:根据具体应用需求选择合适的NPN或PNP型号,以确保最佳性能。
    3. 保护电路设计:设计时加入适当的保护电路,以避免过流和过压对晶体管造成的损害。

    兼容性和支持


    兼容性
    - ECOPACK® 封装:符合环保要求的无铅第二级互连封装,适用于多种应用场合。
    - 机械数据:提供详细的机械尺寸图,方便用户进行装配和集成。
    支持
    - ST公司提供丰富的技术支持和文档资源,帮助用户更好地理解和应用这些晶体管。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过载损坏:由于过电流或过电压导致晶体管损坏。
    2. 性能不稳定:由于环境温度变化或电路设计不当引起。
    解决方案
    1. 增加保护电路:设计并安装必要的保护电路,如保险丝和稳压器,以防止过电流。
    2. 优化散热设计:通过散热片或散热器提高散热效果,确保晶体管在安全范围内运行。

    总结和推荐



    总结


    - 主要优点:TIP35C和TIP36C具有出色的电气性能和广泛的适用性,特别是在需要高效、高增益的场景中表现出色。
    - 可靠性和稳定性:其卓越的设计和制造工艺确保了在极端条件下的长期稳定性和可靠性。
    推荐
    - 强烈推荐:鉴于其出色的技术参数和广泛的应用领域,我们强烈推荐TIP35C和TIP36C用于需要高精度和稳定性的电子项目中。

TIP35C参数

参数
集电极截止电流 1mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 4V@ 5A,25A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
晶体管类型 NPN
集电极电流 25A
最大集电极发射极饱和电压 4V@ 5A,25A
VCBO-最大集电极基极电压 100V
配置 独立式
最大功率耗散 125W
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
15.75mm(Max)
5.15mm(Max)
24.45mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

TIP35C厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

TIP35C数据手册

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STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) STMICROELECTRONICS TIP35C TIP35C数据手册

TIP35C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.5769
10+ ¥ 5.3438
30+ ¥ 4.3
100+ ¥ 4.2
600+ ¥ 3.883
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