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2N5657

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: NPN 20W 6V 100μA 375V 350V 500mA SOT-32-3 通孔安装 7.8mm*2.7mm*10.8mm
供应商型号: AMS-2N5657
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) 2N5657

2N5657概述

    2N5657 硅 NPN 晶体管技术手册

    产品简介


    2N5657 是一款硅基 NPN 晶体管,采用 Jedec SOT-32 塑料封装。该晶体管主要用于输出放大器、低电流高压转换器以及交流线路继电器等领域。作为一种常见的 NPN 晶体管,它具有高可靠性、高电压承受能力和广泛的适用范围。

    技术参数


    以下是 2N5657 的主要技术规格和技术参数:
    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VCBO | 集电极-基极电压 (IE = 0) 375 | V |
    | VCEO | 集电极-发射极电压 (IB = 0) 350 | V |
    | VEBO | 发射极-基极电压 (IC = 0) 6 | V |
    | IC | 集电极电流 0.5 | A |
    | ICM | 集电极峰值电流 1 | A |
    | IB | 基极电流 0.25 | A |
    | Ptot| 总耗散功率(Tc ≤ 25℃) 20 | W |
    | Tstg| 存储温度范围 | -65 150 | ℃ |
    | Tj | 最大工作结温 150 | ℃ |
    | Rthj-case | 结-壳热阻 6.25 | ℃/W |

    产品特点和优势


    2N5657 拥有多项显著特点和优势,使其在多种应用场景中表现出色:
    - 高电压耐受能力:能够承受高达 375V 的集电极-基极电压和 350V 的集电极-发射极电压,适用于高压环境。
    - 低导通电压:在典型的集电极电流下,集电极-发射极饱和电压低至 1V,减少了功耗。
    - 良好的频率响应:过渡频率可达 10MHz,适合高频应用。
    - 稳定的增益特性:在不同条件下保持稳定的电流增益,确保了可靠的性能表现。

    应用案例和使用建议


    2N5657 广泛应用于输出放大器、低电流高压转换器和交流线路继电器等领域。例如,在音频放大器中,它可以作为输出级的开关器件,提供稳定可靠的信号放大。在电源转换器中,可以用于高压转换过程中的电流控制和切换操作。为了优化性能,建议使用时注意散热管理,以避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    2N5657 与多种电子系统和电路设计兼容,特别是在需要高电压和高频的应用场景中。厂商 STMicroelectronics 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南、故障排查和技术咨询,确保用户能够高效地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    在使用 2N5657 过程中,用户可能会遇到以下问题及其解决方案:
    1. 过热问题:由于工作时产生的热量,可能引起过热现象。解决方案是增加散热措施,如加装散热片或风扇。
    2. 电压不足:集电极-发射极电压不足以驱动负载。解决方案是检查电路设计,确保电源电压满足要求。
    3. 电流不稳定:电流波动较大,影响系统稳定性。解决方案是优化电路布局,减少干扰源。

    总结和推荐


    总体而言,2N5657 硅 NPN 晶体管是一款高性能、多功能的产品,适用于多种应用场景。其高电压耐受能力、低导通电压和稳定的增益特性使其在高压和高频环境中表现出色。此外,STMicroelectronics 提供的全面技术支持和完善的文档资源也为用户提供了极大的便利。因此,强烈推荐使用 2N5657 晶体管来提升电子设备的性能和可靠性。

2N5657参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大集电极发射极饱和电压 10V@ 100mA,500mA
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 350V
配置 独立式
集电极电流 500mA
VCBO-最大集电极基极电压 375V
最大功率耗散 20W
集电极截止电流 100μA
长*宽*高 7.8mm*2.7mm*10.8mm
通用封装 SOT-32-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

2N5657厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

2N5657数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS 三极管(BJT) STMICROELECTRONICS 2N5657 2N5657数据手册

2N5657封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 1.632 ¥ 13.7088
500+ $ 1.632 ¥ 13.7088
999+ $ 1.62 ¥ 13.608
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