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H5DU5162ETR-E3C

产品分类: 存储模块
厂牌: SK HYNIX
产品描述: 62.5MB SOP,TSOP 贴片安装 12mm(长度)*8mm(宽度)
供应商型号: SEU-H5DU5162ETR-E3C
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
SK HYNIX 存储模块 H5DU5162ETR-E3C

H5DU5162ETR-E3C概述

    电子元器件产品技术手册解析:H5DU5182ETR/H5DU5162ETR DDR SDRAM

    1. 产品简介


    Hynix Semiconductor推出的H5DU5182ETR 和 H5DU5162ETR 是一款512Mb容量的DDR(Double Data Rate)同步动态随机存取存储器(SDRAM),设计用于需要高内存密度和高带宽的应用场景。此产品支持完全同步操作,数据传输速度最高可达DDR500(250MHz时钟频率)。它广泛应用于计算机、服务器、网络通信设备以及其他对大容量高性能存储需求较高的领域。
    - 产品类型:DDR SDRAM
    - 主要功能:支持双倍数据率传输、内部流水线操作和2位预取结构,以实现高速读写。
    - 应用领域:服务器内存、图形处理、网络交换机、路由器及嵌入式系统等。

    2. 技术参数


    以下是H5DU5182ETR/H5DU5162ETR的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | 容量 | 512Mb |
    | 电压范围 | VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V |
    | 接口标准 | SSTL2 |
    | 时钟频率 | 最高支持DDR500(250MHz) |
    | 延迟时间(tCL) | 支持2/2.5/3/4/5种延迟设置 |
    | 刷新周期 | 8192次刷新/64ms |
    | 存储单元架构 | 4个独立银行 |
    | 封装方式 | 66pin TSOP-II(0.65mm间距) |
    | 工作温度范围 | 商业级:0°C 至 +70°C |

    3. 产品特点和优势


    H5DU5182ETR/H5DU5162ETR 的核心优势包括:
    - 高性能数据传输:支持双倍数据率传输,同时采用2位预取结构,使存储带宽大幅提升。
    - 低功耗设计:通过动态电压调节和电源管理机制降低能耗,满足绿色节能要求。
    - 灵活配置:支持多种延迟设置和突发长度(BL2/BL4/BL8),适应不同应用场景的需求。
    - 鲁棒性设计:符合RoHS指令,确保环保合规性;支持自刷新和自动刷新功能,保障长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高端服务器中作为主内存,提供快速数据访问能力。
    - 图形卡中存储纹理和帧缓冲区数据。
    - 网络通信设备中用于高速缓存关键数据。
    - 使用建议:
    - 在进行DDR SDRAM初始化时,必须严格按照指定的电源上电顺序(VDD→VDDQ→VTT→VREF)操作,否则可能导致芯片损坏或不稳定运行。
    - 在读写操作中,需注意确保地址和控制信号正确配置,特别是对于突发模式的操作,要根据目标延迟设置合理调整。
    - 若用于低功耗场景,可考虑选择低功耗版本(如H5DU5162ETR-XXL)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:H5DU5182ETR/H5DU5162ETR 支持主流主板和控制器,能够与多种平台无缝集成。
    - 厂商支持:Hynix提供详尽的技术文档和支持服务,包括快速响应的客户支持团队和技术文档更新。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 上电后芯片未正常工作 | 检查电源序列是否正确,确认所有输入引脚无错误连接。 |
    | 数据传输速率低于预期 | 调整CAS延迟和突发长度参数至最优值。 |
    | 内存无法进入自刷新模式 | 确保/CS信号处于激活状态,且CKE为高电平。 |
    | 刷新失败 | 检查地址引脚是否正确配置,尝试重新编程模式寄存器。 |

    7. 总结和推荐


    H5DU5182ETR/H5DU5162ETR 是一款高性能、低功耗的DDR SDRAM,其先进的设计和丰富的功能使其成为众多高要求应用的理想选择。特别是在需要高带宽、低延迟和稳定性的场合,该产品表现尤为突出。尽管价格相对较高,但其卓越的性能和广泛的兼容性仍使其成为市场上的优秀选项。因此,我们强烈推荐将其作为高性能计算和通信领域的首选存储解决方案。
    推荐指数:★★★★★

H5DU5162ETR-E3C参数

参数
功能类别 -
速度 -
存储器类型 -
存储容量 62.5MB
长*宽*高 12mm(长度)*8mm(宽度)
通用封装 SOP,TSOP
安装方式 贴片安装

H5DU5162ETR-E3C厂商介绍

SK hynix是一家总部位于韩国的全球领先的半导体制造商,专注于存储器半导体的生产和销售。公司主要产品包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存,这些产品广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备、汽车和工业设备等领域。

1. DRAM:用于临时存储数据,广泛应用于个人电脑、服务器等设备。
2. NAND闪存:用于存储数据,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘等设备。

SK hynix的优势:
1. 技术领先:SK hynix在半导体技术方面具有领先地位,不断推出高性能、低功耗的产品。
2. 规模优势:作为全球最大的存储器制造商之一,SK hynix拥有庞大的生产规模和市场份额。
3. 客户资源:SK hynix与全球多家知名企业建立了合作关系,拥有丰富的客户资源。
4. 研发投入:SK hynix持续加大研发投入,以保持技术领先和市场竞争力。

H5DU5162ETR-E3C数据手册

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H5DU5162ETR-E3C封装设计

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