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H5TQ4G63CFR-TEC

产品分类: 存储模块
厂牌: SK HYNIX
产品描述: DRAM Chip DDR3 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SK HYNIX 存储模块 H5TQ4G63CFR-TEC

H5TQ4G63CFR-TEC概述


    产品简介


    H5TQ4G83CFR-xxC, H5TQ4G63CFR-xxC, H5TQ4G83CFR-xxI, H5TQ4G63CFR-xxI, H5TQ4G83CFR-xxL, H5TQ4G63CFR-xxL, H5TQ4G83CFR-xxJ 和 H5TQ4G63CFR-xxJ 是由SK Hynix公司生产的4Gb DDR3 SDRAM(双倍数据速率三型同步动态随机存取存储器)。这些产品主要用于需要大内存密度和高带宽的主存储器应用。DDR3 SDRAM采用全同步操作,以时钟的上升和下降沿为参考,支持非常高的带宽,适用于高性能计算、服务器、图形卡和通信设备等领域。

    技术参数


    主要技术规格
    - 内存容量:4Gb
    - 电压:VDD=VDDQ=1.5V ±0.075V
    - 输入输出电容:支持输入输出电容
    - 运行频率:根据不同的型号,运行频率从667 Mbps到2133 Mbps不等
    - 操作温度范围:
    - 商用温度范围:0°C 至 95°C
    - 工业温度范围:-40°C 至 95°C
    - 封装形式:
    - x8:78球FBGA
    - x16:96球FBGA
    - 刷新周期:
    - 在商业温度范围内:7.8 μs
    - 在工业温度范围内:3.9 μs
    其他关键参数
    - 编程CAS延迟:支持5、6、7、8、9、10、11、13和14的编程延迟
    - 编程写延迟(CWL):支持5、6、7、8、9和10
    - 可编程突发长度:支持4/8的突发长度,且可切换
    - 内部架构:8个银行
    - 支持的功能:
    - 动态片上终结(Dynamic On Die Termination)
    - 异步复位引脚支持
    - ZQ校准支持
    - 写预放电支持

    产品特点和优势


    这些DDR3 SDRAM具有以下几个显著的特点和优势:
    - 高带宽:由于采用了双倍数据速率技术,这些产品可以实现非常高的数据传输速率。
    - 低功耗:提供多种功耗模式,确保在不同应用环境下都能保持高效的能耗。
    - 温度适应性强:能够在广泛的温度范围内正常工作,既适合商用也适合工业级应用。
    - 灵活性:支持多种配置选项,例如可编程CAS延迟、写延迟等,以满足不同的系统需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些DDR3 SDRAM广泛应用于需要高带宽和可靠性的场景,例如服务器、工作站、高端显卡、网络设备和存储系统。例如,在服务器中,这些DDR3 SDRAM可以显著提高系统的内存带宽,提升处理速度。
    使用建议
    - 系统设计:在系统设计时应充分考虑功耗管理和散热措施,尤其是在高温环境中使用时。
    - 硬件集成:确保所有连接和电源配置符合制造商的规范,以避免潜在的问题。
    - 软件调优:针对不同操作系统和应用程序,调整适当的CAS延迟和突发长度设置,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    这些DDR3 SDRAM支持标准的JEDEC 78球FBGA和96球FBGA封装,可以与现有的大多数主板和系统兼容。SK Hynix公司提供了详尽的技术支持文档和更新信息,确保用户能够获取最新的技术和应用支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:无法正常启动
    - 解决方案:检查电源电压和连接是否正确,确认所有外部时钟和控制信号的稳定。

    - 问题2:读写速度慢
    - 解决方案:重新调整CAS延迟和突发长度,优化系统的内存控制器配置。

    - 问题3:功耗过高
    - 解决方案:调整电源管理设置,开启低功耗模式。

    总结和推荐


    综上所述,SK Hynix的4Gb DDR3 SDRAM是一款功能强大、兼容性广的存储器产品,特别适用于高性能计算和存储应用。凭借其高带宽、低功耗和广泛的温度适应性,这些产品在市场上具有很强的竞争力。因此,我强烈推荐这些产品给需要高性能存储解决方案的应用开发者和系统设计师。

H5TQ4G63CFR-TEC参数

参数
存储器类型 -
存储容量 -
功能类别 -
速度 -
通用封装 BGA,FBGA

H5TQ4G63CFR-TEC厂商介绍

SK hynix是一家总部位于韩国的全球领先的半导体制造商,专注于存储器半导体的生产和销售。公司主要产品包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存,这些产品广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备、汽车和工业设备等领域。

1. DRAM:用于临时存储数据,广泛应用于个人电脑、服务器等设备。
2. NAND闪存:用于存储数据,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘等设备。

SK hynix的优势:
1. 技术领先:SK hynix在半导体技术方面具有领先地位,不断推出高性能、低功耗的产品。
2. 规模优势:作为全球最大的存储器制造商之一,SK hynix拥有庞大的生产规模和市场份额。
3. 客户资源:SK hynix与全球多家知名企业建立了合作关系,拥有丰富的客户资源。
4. 研发投入:SK hynix持续加大研发投入,以保持技术领先和市场竞争力。

H5TQ4G63CFR-TEC数据手册

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SK HYNIX 存储模块 SK HYNIX H5TQ4G63CFR-TEC H5TQ4G63CFR-TEC数据手册

H5TQ4G63CFR-TEC封装设计

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