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H5AN8G8NAFR-UHC

产品分类: 存储模块
厂牌: SK HYNIX
产品描述: DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 1Gx8 1.2V 78-Pin FBGA
供应商型号: H5AN8G8NAFR-UHC
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SK HYNIX 存储模块 H5AN8G8NAFR-UHC

H5AN8G8NAFR-UHC概述


    产品简介


    8Gb DDR4 SDRAM
    H5AN8G4NAFR-xxC, H5AN8G8NAFR-xxC 和 H5AN8G6NAFR-xxC 是由 SK hynix 生产的高性能 8Gb DDR4 SDRAM,适用于需要大内存密度和高带宽的主存储应用。这些器件采用了完全同步的操作模式,参考时钟的上升沿和下降沿进行操作,从而实现高速传输和高效的数据处理。

    技术参数


    - 电源电压: VDD=VDDQ=1.2V ±0.06V
    - 工作频率: DDR4-1600 到 DDR4-2666
    - 时钟周期 (tCK): 0.75 ns 至 1.25 ns
    - CAS 延迟 (tCL): 11 到 20
    - tRCD (RAS到CAS延迟): 13.75 ns 至 14.25 ns
    - tRP (预充电延迟): 13.75 ns 至 14.25 ns
    - tRAS (激活延迟): 32 ns 至 48.75 ns
    - tRC (行周期时间): 46.16 ns 至 48.50 ns
    - 地址和控制输入信号: 所有地址和控制输入信号均在时钟上升沿采样
    - 数据信号: 数据信号在时钟上升沿和下降沿采样
    - 预取宽度: 8 位
    - 刷新周期: 在 0°C 至 85°C 温度范围内为 7.8 µs,在 85°C 至 95°C 温度范围内为 3.9 µs
    - 封装: 78 球 FBGA 或 96 球 FBGA

    产品特点和优势


    这些 DDR4 SDRAM 具有多项优势:
    - 低功耗模式:支持最大功率节省模式,提高能效。
    - 温度控制自动刷新:通过 TCAR 模式提供温度控制自动刷新,确保在极端温度下正常工作。
    - 细粒度刷新:细粒度刷新功能提供了更精细的刷新控制,有助于延长寿命并提高稳定性。
    - 命令/地址奇偶校验:支持命令/地址奇偶校验,增强了数据完整性检查能力。
    - 高速接口:支持高达 2666 Mbps 的速度,满足高性能应用需求。
    - 完全符合 RoHS 和无卤素标准:环保材料的使用,满足全球环保要求。

    应用案例和使用建议


    这些 SDRAM 广泛应用于服务器、数据中心、高性能计算(HPC)等领域,特别是在需要大量内存和高带宽的应用中。例如,这些器件可以用于构建高性能的数据库服务器、大数据处理系统等。
    使用建议:
    - 环境管理:确保在指定的工作温度范围内使用,以避免因过热导致的性能下降。
    - 电源管理:确保 VDD 和 VDDQ 之间的电压差在 ±0.06V 内,避免电源不稳定影响性能。
    - 数据完整性保护:启用奇偶校验功能,提高数据的可靠性。
    - 散热设计:在高温环境下使用时,需要良好的散热设计,如增加散热片或风扇,以维持工作温度在安全范围内。

    兼容性和支持


    这些 DDR4 SDRAM 支持多种配置,包括 78 球 FBGA 和 96 球 FBGA 封装。厂商提供了详细的技术文档和支持,包括软件工具、样品、生产批次测试和售后技术支持。客户可以通过官方渠道获得这些支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温下设备无法正常启动。
    - 解决方案: 确保设备在规定的温度范围内运行,如果需要可以在高温环境下使用手动自刷新模式,或者启用自动自刷新模式。

    - 问题: 数据读写过程中出现错误。
    - 解决方案: 启用命令/地址奇偶校验功能,确保数据传输的准确性。

    总结和推荐


    总体来说,H5AN8G4NAFR-xxC, H5AN8G8NAFR-xxC 和 H5AN8G6NAFR-xxC 是市场上非常优秀的 DDR4 SDRAM,具备出色的性能和可靠性。它们非常适合需要高性能和高稳定性的应用,如服务器、数据中心和高性能计算系统。强烈推荐这些产品给需要大内存容量和高带宽的客户。
    通过以上内容,希望可以全面地向您介绍 SK hynix 的 H5AN8G4NAFR-xxC, H5AN8G8NAFR-xxC 和 H5AN8G6NAFR-xxC DDR4 SDRAM 的主要特性和应用范围。

H5AN8G8NAFR-UHC参数

参数
功能类别 -
速度 -
存储器类型 -
存储容量 -
长*宽*高 11mm(长度)*7.5mm(宽度)
通用封装 FBGA
安装方式 贴片安装

H5AN8G8NAFR-UHC厂商介绍

SK hynix是一家总部位于韩国的全球领先的半导体制造商,专注于存储器半导体的生产和销售。公司主要产品包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存,这些产品广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备、汽车和工业设备等领域。

1. DRAM:用于临时存储数据,广泛应用于个人电脑、服务器等设备。
2. NAND闪存:用于存储数据,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘等设备。

SK hynix的优势:
1. 技术领先:SK hynix在半导体技术方面具有领先地位,不断推出高性能、低功耗的产品。
2. 规模优势:作为全球最大的存储器制造商之一,SK hynix拥有庞大的生产规模和市场份额。
3. 客户资源:SK hynix与全球多家知名企业建立了合作关系,拥有丰富的客户资源。
4. 研发投入:SK hynix持续加大研发投入,以保持技术领先和市场竞争力。

H5AN8G8NAFR-UHC数据手册

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H5AN8G8NAFR-UHC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1600+ ¥ 27.4106
16000+ ¥ 26.5882
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