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H5AN4G6NBJR-UHC

产品分类: 存储模块
厂牌: SK HYNIX
产品描述:
供应商型号: SG-H5AN4G6NBJR-UHC
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
SK HYNIX 存储模块 H5AN4G6NBJR-UHC

H5AN4G6NBJR-UHC概述


    产品简介


    基本介绍
    SK hynix 的H5AN4G4NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxC、H5AN4G6NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxI和H5AN4G6NBJR-xxI系列是4Gb容量的CMOS双倍数据速率第四代(DDR4)同步动态随机存取存储器(SDRAM)。它们特别适用于需要大内存密度和高带宽的主要内存应用。这些DDR4 SDRAM支持全同步操作,参考时钟的上升和下降沿。
    应用领域
    这些产品广泛应用于计算机服务器、工作站、高端游戏电脑、高性能计算系统等场合,尤其是在需要高速数据处理和大量内存的应用中。

    技术参数


    性能参数
    - 供电电压:VDD = VDDQ = 1.2V ± 0.06V
    - 时钟输入:差分时钟输入(CK,CK)
    - 数据读写时序:支持多种延迟配置,如CAS延迟(CL) 9到20,CWL(CAS Write Latency)9到18
    - 突发长度(Burst Length):4/8,支持顺序和交错模式
    - 刷新周期:
    - 0°C~85°C:每7.8μs刷新一次
    - 85°C~95°C:每3.9μs刷新一次
    - 温度范围:
    - 商业温度:0°C~95°C
    - 工业温度:-40°C~95°C
    电气特性
    - 支持多种频率等级,如DDR4-1600到DDR4-3200
    - 支持动态OCD,两种终止状态RTTPARK和RTTNOM可通过ODT引脚切换
    - 内部Vref DQ电平自动生成
    - 最大节能模式,TCAR和LP ASR模式
    - 细粒度刷新,单个DRAM地址可寻址

    产品特点和优势


    - 高速读写:支持高达3200Mbps的数据传输率
    - 低功耗:多种节能模式
    - 高可靠性:工业级温度范围,增强的耐用性
    - 灵活配置:多种延迟参数和突发长度配置
    - 强大的纠错能力:支持写入CRC校验
    - 高级功能:支持数据总线反转(DBI),降低干扰信号的影响

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    该产品在数据中心服务器上得到了广泛应用,特别是在大数据处理和内存密集型任务中表现出色。在游戏领域,这些产品同样提供了优秀的性能,确保流畅的游戏体验。
    使用建议
    - 在使用时,需确保时钟输入CK保持同步,以避免数据读写错误。
    - 建议在商业和工业环境下采用不同的温度配置,确保产品可靠运行。
    - 针对数据中心应用,可以考虑启用最大节能模式和细粒度刷新模式,以延长产品寿命并节省能源。

    兼容性和支持


    兼容性
    这些DDR4 SDRAM产品支持JEDEC标准的78球FBGA封装(x4/x8),以及96球FBGA封装(x16),因此在不同的硬件平台上有很好的兼容性。
    厂商支持
    SK hynix提供详尽的技术文档和支持服务,包括固件更新和技术咨询,以确保客户能够充分利用这些产品的先进功能。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 数据读写错误
    - 解决方法:检查时钟信号是否稳定,确认时钟频率和延迟参数设置正确。
    2. 刷新周期错误
    - 解决方法:根据温度范围选择正确的刷新周期,必要时调整刷新间隔。
    3. 电源稳定性问题
    - 解决方法:确保VDD和VDDQ之间的电压差不超过300mV,同时保持VREFCA在指定范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    H5AN4G4NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxC、H5AN4G6NBJR-xxC、H5AN4G8NBJR-xxI和H5AN4G6NBJR-xxI系列DDR4 SDRAM以其出色的性能、丰富的功能和广泛的适用性,成为高性能计算和内存密集型应用的理想选择。
    推荐使用
    鉴于上述优点,我们强烈推荐在需要高数据吞吐量和强大内存性能的应用场景中使用这些DDR4 SDRAM。无论是数据中心、服务器还是高端游戏系统,这些产品都能提供卓越的表现和稳定性。

H5AN4G6NBJR-UHC参数

参数
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 -
通用封装 FBGA-96

H5AN4G6NBJR-UHC厂商介绍

SK hynix是一家总部位于韩国的全球领先的半导体制造商,专注于存储器半导体的生产和销售。公司主要产品包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存,这些产品广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备、汽车和工业设备等领域。

1. DRAM:用于临时存储数据,广泛应用于个人电脑、服务器等设备。
2. NAND闪存:用于存储数据,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘等设备。

SK hynix的优势:
1. 技术领先:SK hynix在半导体技术方面具有领先地位,不断推出高性能、低功耗的产品。
2. 规模优势:作为全球最大的存储器制造商之一,SK hynix拥有庞大的生产规模和市场份额。
3. 客户资源:SK hynix与全球多家知名企业建立了合作关系,拥有丰富的客户资源。
4. 研发投入:SK hynix持续加大研发投入,以保持技术领先和市场竞争力。

H5AN4G6NBJR-UHC数据手册

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SK HYNIX 存储模块 SK HYNIX H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC数据手册

H5AN4G6NBJR-UHC封装设计

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