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H5AN4G6NAFR-UHC

产品分类: 存储模块
厂牌: SK HYNIX
产品描述: 512MB 256Mx16 1.14V 194mA 1.26V 2.4GHz 16bit TFBGA 贴片安装 13mm*7.5mm*760μm
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SK HYNIX 存储模块 H5AN4G6NAFR-UHC

H5AN4G6NAFR-UHC概述


    产品简介


    H5AN4G4NAFR-xxC, H5AN4G8NAFR-xxC 和 H5AN4G6NAFR-xxC 是由 SK hynix 生产的 4Gb DDR4 SDRAM(双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)。这类存储器特别适合需要大内存密度和高带宽的主存储器应用,如服务器、高性能计算系统、高端工作站等。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 额定电压 (VDD, VDDQ) | 1.2V ±0.06V |
    | 驱动强度 | 通过模式寄存器设置选择 |
    | 刷新周期 | - 7.8μs @ 0°C~85°C
    - 3.9μs @ 85°C~95°C |
    | 支持的电气特性 | 包括差分时钟输入 (CK, CK)、差分数据选通 (DQS, DQS) 等 |
    | 操作频率范围 | DDR4-1600 至 DDR4-2666 |

    产品特点和优势


    - 高度集成:支持多种配置和模式寄存器设置,适应不同的应用需求。
    - 高性能:支持 DDR4-2666 的高速操作,提供非常高的带宽。
    - 节能:支持多种低功耗模式,包括自动刷新和自刷新模式,能够显著降低能耗。
    - 可靠性:集成 ZQ 校准和支持纠错码 (CRC),确保数据传输的准确性。

    应用案例和使用建议


    这些 SDRAM 可以广泛应用于数据中心、云计算、大数据处理、人工智能等需要大量数据处理和存储的应用场景。建议在使用这些存储器时,根据具体的应用需求合理配置模式寄存器参数,以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    这些 SDRAM 与主流的 CPU 和其他存储控制器兼容,适用于 78-ball FBGA 和 96-ball FBGA 封装形式。SK hynix 提供详细的技术支持文档和售后服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何启用 ZQ 校准?
    - 解答:可以通过编程模式寄存器 A11 设置为 1 来启用 ZQ 校准。

    2. 问题:如何确定数据的真正值还是反值?
    - 解答:通过 DBIn 信号来判断。如果 DBIn 为低电平,则数据将被反相。

    总结和推荐


    H5AN4G4NAFR-xxC, H5AN4G8NAFR-xxC 和 H5AN4G6NAFR-xxC 是高性能的 DDR4 SDRAM,具备高带宽、低功耗和高度可靠性的特点,非常适合于高要求的数据处理和存储应用。强烈推荐使用这些产品以获得卓越的性能和稳定性。

H5AN4G6NAFR-UHC参数

参数
组织 256Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 -
存储容量 512MB
最大供电电流 194mA
最大时钟频率 2.4GHz
最大工作供电电压 1.26V
最小工作供电电压 1.14V
长*宽*高 13mm*7.5mm*760μm
通用封装 TFBGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

H5AN4G6NAFR-UHC厂商介绍

SK hynix是一家总部位于韩国的全球领先的半导体制造商,专注于存储器半导体的生产和销售。公司主要产品包括DRAM(动态随机存取存储器)和NAND闪存,这些产品广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备、汽车和工业设备等领域。

1. DRAM:用于临时存储数据,广泛应用于个人电脑、服务器等设备。
2. NAND闪存:用于存储数据,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘等设备。

SK hynix的优势:
1. 技术领先:SK hynix在半导体技术方面具有领先地位,不断推出高性能、低功耗的产品。
2. 规模优势:作为全球最大的存储器制造商之一,SK hynix拥有庞大的生产规模和市场份额。
3. 客户资源:SK hynix与全球多家知名企业建立了合作关系,拥有丰富的客户资源。
4. 研发投入:SK hynix持续加大研发投入,以保持技术领先和市场竞争力。

H5AN4G6NAFR-UHC数据手册

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H5AN4G6NAFR-UHC封装设计

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