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HC4D30120D

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 描述: 这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247封装,提供1200V高反向耐压及30A连续正向电流能力,其正向导通电压VF为1.5V。专为高压、大电流应用设计,如电源转换器、新能源汽车充电系统和工业逆变器,实现高效能、高速度和高可靠性整流。
供应商型号: HC4D30120D TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HC4D30120D

HC4D30120D概述


    产品简介


    HC4D30120D 硅碳化物肖特基二极管
    产品类型:硅碳化物肖特基二极管
    主要功能:高效整流和高频开关
    应用领域:适用于开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)中的升压二极管、逆变器中的自由轮二极管、AC/DC转换器等。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 | 单位 | 条件 | 备注 |

    | VRRM | 1200 | V 重复峰值反向电压 |
    | VRSM | 1300 | V 冲击峰值反向电压 |
    | VR | 1200 | V 直流峰值反向电压 |
    | IF (TC=25°C) | 44/88 | A | 每腿/每器件 | 持续正向电流 |
    | IFRM (TC=25°C) | 68 | A 重复峰值正向浪涌电流 |
    | IFSM (TC=25°C) | 100 | A 非重复正向浪涌电流 |
    | IF (TC=25°C) | 900 | A 非重复峰值正向电流 |
    | Ptot (TC=25°C) | 220/440 | W | 每腿/每器件 | 功率耗散 |
    | dV/dt | 200 | V/ns 反向恢复电压范围为0到960V |
    | ∫i2dt | 50 | A²s 电荷积分值 |
    | TJ | -55 to +175 | °C 工作结温范围 |
    | Tstg | -55 to +135 | °C 存储温度范围 |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:1.2kV的重复峰值反向电压,适用于高压环境。
    - 零反向恢复电流:避免了反向恢复过程中的能量损失。
    - 高速开关:适合高频操作,减少开关损耗。
    - 温度独立:温度变化对开关性能影响小。
    - 低损耗:减少热量生成,降低热沉需求。
    - 并联运行:避免热失控,提高系统的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源(SMPS):用于高压输入和输出的场合。
    - 功率因数校正(PFC):在升压阶段提高系统效率。
    - 逆变器中的自由轮二极管:保护电路免受瞬态过电压的影响。
    - AC/DC转换器:保证直流输出的稳定性和效率。
    使用建议:
    - 散热管理:在高负载情况下,确保良好的散热设计以避免温度过高导致的损坏。
    - 并联连接:在需要更高电流的应用中,可以考虑并联多个器件以分散电流。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用TO-247-3L封装,可与其他使用相同封装的器件进行替换。
    - 支持:由深圳华宣阳电子有限公司提供技术支持和售后服务,确保客户能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保适当的散热设计,如加装散热片或使用强制风冷。 |
    | 电流过大 | 选择合适额定电流的器件,避免过载。 |
    | 电压波动 | 使用稳压器来维持稳定的输入电压。 |

    总结和推荐


    HC4D30120D 硅碳化物肖特基二极管是一款高性能、高可靠性的电子元件,适用于多种高压高频应用场景。其独特的零反向恢复电流和高温适应性使其在电力电子领域具有显著的优势。然而,用户在使用时需要注意适当的散热管理和合理的电流分布。总体而言,该产品值得推荐用于对可靠性要求高的电力电子应用。

HC4D30120D参数

参数
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
通用封装 TO-247-3L

HC4D30120D厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC4D30120D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC4D30120D HC4D30120D数据手册

HC4D30120D封装设计

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90+ ¥ 22.125
150+ ¥ 21.5625
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