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HC4D05120A

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 描述: 这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具有1200V高反向耐压和5A连续正向电流承载力,其正向导通电压VF低至1.4V。适用于高效能电源转换、工业逆变器及新能源系统,具备卓越的高温稳定性和快速恢复特性,实现小型化与节能型整流方案。
供应商型号: HC4D05120A TO-220C-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HC4D05120A

HC4D05120A概述

    # 高性能硅碳肖特基二极管技术手册

    产品简介


    本文档介绍了型号为HC4D05120A的高性能硅碳肖特基二极管。这款二极管具有出色的高频操作能力和极快的开关速度,适用于多种电子设备中,如开关电源(SMPS)、功率因数校正电路中的升压二极管、逆变器中的自由轮二极管、以及AC/DC转换器等。它能够显著提高系统效率,减少散热需求,同时具备优越的温度独立特性。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 | 备注 |

    | VRRM | 反复峰值反向电压 | 1200 | - | - | V | -
    | VRSM | 峰值反向电压 | - | 1300 | - | V | -
    | VR | 直流峰值反向电压 | 1200 | - | - | V | -
    | IF | 连续正向电流 | 9.5 | 19 | 5 | A | TC=25˚C, TC=135˚C, TC=161˚C | 见图3 |
    | IFRM | 反复峰值正向浪涌电流 | 26 | 18 | - | A | TC=25˚C, tP=10ms,半正弦波脉冲
    | IFSM | 非反复正向浪涌电流 | 46 | 36 | - | A | TC=25˚C, tP=10ms,半正弦波脉冲
    | IF,Max | 非反复峰值正向电流 | 400 | 320 | - | A | TC=25˚C, tP=10ms,脉冲
    | Ptot | 功率耗散 | 100 | 43 | - | W | TC=25˚C, TC=110˚C
    | dV/dt | 二极管dv/dt稳健性 | 200 | - | - | V/ns | VR=0-650V
    | ∫i²dt | i²t值 | 10.6 | 6.5 | - | A²s | TC=25˚C, tP=10ms
    | TJ | 工作结温范围 | -55 | - | +175 | °C | -
    | Tstg | 存储温度范围 | -55 | - | +135 | °C | -

    产品特点和优势


    - 零反向恢复电流:实现更高的频率操作。
    - 高温稳定性:具有正温度系数的VF,温度独立开关特性,确保在各种温度下的稳定性能。
    - 高速开关能力:极快的开关速度几乎无损耗,提高了系统效率。
    - 可靠性高:无需额外散热设计,降低热沉要求。
    - 并联无热失控:并联多个二极管时不会产生热失控问题。
    - 取代双极二极管:可替代传统的双极二极管,简化设计。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 开关电源(SMPS):利用其高频操作特性提高转换效率。
    - 功率因数校正电路(PFC):通过升压二极管提升整体效率。
    - 逆变器:自由轮二极管的应用能有效保护系统。
    - AC/DC转换器:提高电源转换效率。
    使用建议
    - 散热管理:虽然该二极管对热沉要求不高,但建议适当的散热措施以进一步提高系统稳定性。
    - 布局优化:在设计PCB布局时,合理安排散热路径,提高散热效果。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-220C-2L封装,适用于大多数标准插座。对于特定应用,可以提供详细的安装扭矩指导,以确保正确的连接和性能。此外,制造商提供相应的技术支持和售后服务,以满足客户需求。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频应用中,发热过多
    - 解决办法:增加外部散热片或优化散热设计。

    2. 问题:长时间工作后性能下降
    - 解决办法:检查是否存在过热问题,并采取适当的散热措施。

    总结和推荐


    综上所述,型号HC4D05120A的硅碳肖特基二极管凭借其高频操作能力、低功耗和优异的温度稳定性,表现出色,特别适用于需要高效、快速开关的应用场景。推荐在开关电源、功率因数校正和逆变器等设备中使用。为了确保最佳性能,建议在具体应用中进行充分测试和优化。

HC4D05120A参数

参数
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
通用封装 TO-220-2L

HC4D05120A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC4D05120A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC4D05120A HC4D05120A数据手册

HC4D05120A封装设计

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