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HC4D40120H

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 描述: 这款碳化硅肖特基二极管采用TO-247-2L封装,拥有1200V高反向耐压和高达40A的大电流处理能力,其正向导通电压VF为1.5V。特别适用于高端电源转换、新能源汽车及工业逆变器的高效整流环节,具备卓越的高温稳定性和快速恢复特性。
供应商型号: HC4D40120H TO-247-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HC4D40120H

HC4D40120H概述


    产品简介


    产品类型及功能
    本文介绍的是型号为HC4D40120H的硅碳(SiC)肖特基二极管,由深圳市华宣阳电子有限公司生产。该二极管采用了SiC材料,具有低正向电压降、零反向恢复电流和前向恢复电压、温度无关的开关行为等特性。这些特性使其非常适合应用于电池充电器、太阳能和可再生能源电力转换、工业电源供应、功率因数校正(PFC)和直流-直流转换器中的升压二极管等领域。
    主要应用领域
    - 电池充电器
    - 太阳能和可再生能源电力转换
    - 工业电源供应
    - 功率因数校正(PFC)
    - 直流-直流转换器中的升压二极管

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 值 | 单位 | 测试条件 | 注释 |
    |
    | 重复峰值反向电压 | VRRM | 1200 | V
    | 直流阻断电压 | VDC | 1200 | V
    | 连续前向电流 | IF | 128 | A | TJ = 25°C
    88 | A | TJ = 100°C
    41 | A | TJ = 155°C
    | 重复峰值前向浪涌电流 | IFRM | 161 | A | Tc = 25°C
    91 | A | Tc = 110°C
    | 非重复前向浪涌电流 | IFSM | 247 | A | Tc = 25°C
    245 | A | Tc = 110°C
    | 功耗 | Ptot | 667 | W | Tc = 25°C
    289 | W | Tc = 110°C
    | 二阶时间积分值 | ∫i²t | 305 | A²s | Tc = 25°C
    300 | A²s | Tc = 110°C

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 低正向电压降(Low Forward Voltage Drop):该二极管具备正温度系数,有助于减少能量损失。
    - 零反向恢复电流(Zero Reverse Recovery Current):消除了二极管切换时的能量损失。
    - 温度无关的开关行为(Temperature-Independent Switching Behavior):确保了在不同温度下的稳定表现。
    - 增强的爬电距离和清漆距离(Increased Creepage/Clearance + HV-H3TRB Ruggedness):提高了耐高压能力和可靠性。

    在应用中的重要性和市场竞争力
    该二极管因其出色的电气性能和高可靠性,在电源管理领域具有显著的应用前景,尤其适用于要求高效、稳定输出的系统。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景分析
    - 电池充电器:该二极管可以有效提高充电效率,减少发热。
    - 太阳能和可再生能源电力转换:由于其高耐压能力,适用于高压系统。
    - 工业电源供应:能够在严苛环境下保持稳定运行。
    - 功率因数校正和直流-直流转换器中的升压二极管:适合高频应用场合。
    使用建议
    - 确保使用符合电气特性的电路设计。
    - 注意散热设计以避免过热。
    - 配套适当的保护电路以提高系统可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准TO247-2L封装,易于集成到现有设计中。
    - 厂商支持:深圳华宣阳电子有限公司提供技术支持和售后服务,确保客户获得最佳使用体验。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    - 问题一:发热严重
    - 解决方案:增加散热片,优化散热设计。
    - 问题二:工作不稳定
    - 解决方案:检查接线是否正确,确保所有连接点牢固可靠。
    - 问题三:出现短路现象
    - 解决方案:确认无短路路径,使用专用测试仪器进行检测。

    总结和推荐


    该SiC肖特基二极管HC4D40120H凭借其优越的电气性能和高可靠性,适用于多种关键应用场合。其独特的设计和技术特性使其在市场上具有较强的竞争力。鉴于上述优点,强烈推荐该产品在各类电源管理和高效能电子设备中使用。

HC4D40120H参数

参数
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
Vrrm - 重复反向电压 -
通用封装 TO-247-2L

HC4D40120H厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC4D40120H数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC4D40120H HC4D40120H数据手册

HC4D40120H封装设计

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