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HC4D08120A

产品分类: 肖特基二极管
产品描述: 描述: 这款碳化硅肖特基二极管采用TO-220-2L封装,具备1200V高反向耐压和8A连续正向电流处理能力,正向导通电压VF为1.5V。专为高压、高效能应用场景设计,如新能源汽车充电系统、工业电源转换器,实现卓越的高温稳定性和快速恢复整流性能。
供应商型号: HC4D08120A TO-220C-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HC4D08120A

HC4D08120A概述


    产品简介


    HC4D08120A 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode),具有优异的性能和可靠性。这种二极管广泛应用于开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正(PFC)或直流到直流转换器中的升压二极管、逆变器中的续流二极管,以及交流到直流转换器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 | 单位 | 测试条件 | 备注 |

    | VRRM | 1200 | V 反复峰值反向电压 |
    | VRSM | 1300 | V 瞬态峰值反向电压 |
    | VR | 1200 | V 直流峰值反向电压 |
    | IF (连续) | 24.5 / 12 / 8 | A | TC=25°C / TC=135°C / TC=157°C | 连续正向电流 |
    | IFRM (反复) | 37.5 / 25 | A | TC=25°C / TC=110°C | 反复峰值正向浪涌电流 |
    | IFSM (非重复) | 64 / 49.5 | A | TC=25°C / TC=110°C | 非重复正向浪涌电流 |
    | IF,Max (非重复) | 600 / 480 | A | TC=25°C / TC=110°C | 非重复峰值正向电流 |
    | Ptot | 136.5 / 59 | W | TC=25°C / TC=110°C | 功耗 |
    | dV/dt | 200 | V/ns | VR=0-960V | di/dt 耐受性 |
    | ∫i2dt | 20.5 / 12.25 | A²s | TC=25°C / TC=110°C | 集电电荷 |
    其他关键参数:
    - 工作结温范围:-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +135°C
    - 热阻 RθJC:1.1 °C/W
    - 极限参数:包括正向电压、反向电压、最大连续正向电流等

    产品特点和优势


    1. 1.2kV 碳化硅肖特基二极管:采用碳化硅材料,具有更高的耐压能力。
    2. 零反向恢复电流:显著减少了开关损耗,提高了效率。
    3. 高频操作:可以适应高频电路设计的需求。
    4. 温度独立的开关特性:确保在不同温度下的稳定性能。
    5. 极快的开关速度:降低了系统的总体功耗。
    6. 正向电压随温度上升的正温度系数:改善了散热性能和系统稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关模式电源供应器(SMPS):由于其高频操作特性,适用于高效率的电源转换系统。
    - PFC 和 DC/DC 转换器:特别是在高频率的应用环境中。
    - 逆变器中的续流二极管:用于减小瞬态效应的影响。
    使用建议:
    - 在设计时考虑热管理措施,如增加散热片以避免过热。
    - 严格控制工作温度,尤其是连续大电流应用时。
    - 对于高频应用,确保 PCB 设计良好,减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该二极管采用了标准 TO-220 封装,与大多数电源转换电路兼容。
    - 厂商支持:提供详细的技术手册和技术支持服务,保证客户能够顺利使用和维护。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温导致性能下降 | 确保良好的散热设计,例如加装散热片。 |
    | 高频操作下的噪声干扰 | 使用屏蔽线缆并优化 PCB 布局。 |
    | 反向电压过高导致损坏 | 在电路设计中加入保护电路。 |

    总结和推荐


    综上所述,HC4D08120A 碳化硅肖特基二极管以其高可靠性、高性能和低功耗等优点,在众多电力电子应用中表现突出。其出色的电气特性和独特的设计使其成为许多关键电力电子设备的理想选择。尽管其价格可能略高于普通二极管,但从长期来看,其高效率和稳定性将为用户带来显著的成本节约和性能提升。因此,我强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的电子设备设计工程师。

HC4D08120A参数

参数
Vrrm - 重复反向电压 -
配置 -
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
反向恢复时间 -
正向浪涌电流 -
通用封装 TO-220-2L

HC4D08120A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC4D08120A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 肖特基二极管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC4D08120A HC4D08120A数据手册

HC4D08120A封装设计

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