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BGA7H1BN6E6327

产品分类: 其他射频器件
产品描述:
供应商型号: BGA7H1BN6E6327
供应商: 国内现货
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 其他射频器件 BGA7H1BN6E6327

BGA7H1BN6E6327概述

    BGA7H1BN6 Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE

    1. 产品简介


    BGA7H1BN6是一款专为LTE设计的前端低噪声放大器(Low Noise Amplifier,简称LNA),覆盖1805 MHz至2690 MHz的宽频带范围。这款放大器采用B7HF Silicon Germanium技术制造,能够提供12.3 dB的插入功率增益和0.85 dB的低噪声系数,非常适合于对信号质量和功耗要求极高的通信系统。

    2. 技术参数


    BGA7H1BN6的关键技术参数如下表所示:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注/测试条件 |
    |
    | 供电电压 | 1.5 3.6 | V
    | 供电电流 4.3 | 5.3 | mA | 高增益模式 |
    87 | 120 | µA | 旁路模式 |
    110 | 150 | µA | 旁路模式/供电电压5.0V |
    | 控制电压 | 1.0 VCC | V | 高增益模式 |
    0 | 0.4 | V | 旁路模式 |
    | 插入功率增益 | f=2500 MHz | 9.5 | 11.0 | 12.5 | dB | 高增益模式 |
    f=2500 MHz | -4.5 | -3.5 | -2.5 | dB | 旁路模式 |
    | 噪声系数(高增益模式) 0.9 | 1.5 | dB | ZS=50Ω |
    2.7 | 3.7 | dB | 旁路模式 |
    | 输入回波损耗(高增益模式)| f=2500 MHz | 9 | 12 | dB
    f=2500 MHz | 5 | 8 | dB | 旁路模式 |
    | 输出回波损耗(高增益模式)| f=2500 MHz | 10 | 15 | dB

    3. 产品特点和优势


    - 低噪声系数: 0.85 dB,保证了信号的高质量传输。
    - 低功耗: 4.3 mA电流消耗,在延长电池寿命方面具有显著优势。
    - 宽频带覆盖: 从1805 MHz到2690 MHz,满足多种应用场景需求。
    - 小型化封装: 超小型TSNP-6-2无引线封装(0.7 x 1.1 mm²),适合紧凑型设计。
    - 两态控制: 可通过数字开关实现高增益和旁路两种模式切换。
    - 可靠性验证: 通过了工业应用的相关测试(JEDEC47/20/22)。

    4. 应用案例和使用建议


    BGA7H1BN6在各种LTE通信设备中有着广泛的应用,包括智能手机、基站、无线路由器等。例如,在智能手机中作为前置放大器,用于增强信号强度,改善通信质量。具体应用时,可根据不同频段的需求选择合适的匹配网络(如电感L1)以达到最佳性能。在高增益模式下,可以显著提升输入信号强度;而在旁路模式下,则可以降低功耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: BGA7H1BN6与大多数射频电路板和模块兼容,可广泛应用于各种通信设备中。
    - 技术支持: 如需更多信息或技术支持,请联系当地Infineon办事处(www.infineon.com)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 放大器在使用过程中温度过高。
    - 解决方案: 检查散热片安装情况,确保良好散热,同时避免超出最大额定温度限制(150°C)。
    - 问题: 放大器工作不稳定。
    - 解决方案: 确保供电电压稳定在1.5V至3.6V之间,并检查输入信号频率是否在有效范围内(1805 MHz至2690 MHz)。

    7. 总结和推荐


    BGA7H1BN6以其出色的低噪声系数、低功耗、小型化封装以及宽泛的工作频段,成为了LTE通信设备的理想选择。适用于需要高可靠性和高性能的各类通信应用。总体而言,BGA7H1BN6在设计和性能上表现出色,强烈推荐用于需要高性能射频信号处理的应用场景。

BGA7H1BN6E6327参数

参数
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
最大工作频率 -
最小工作频率 -
长*宽*高 1.1mm*700μm*400μm
通用封装 TSNP-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BGA7H1BN6E6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BGA7H1BN6E6327数据手册

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BGA7H1BN6E6327封装设计

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