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WAFER-HY2.0-8PWB

厂牌: XUNPU/台湾讯普电子
产品描述: 1x8P 间距:2mm 卧贴 带扣
供应商型号: 26M-WAFER-HY2.0-8PWB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
XUNPU/台湾讯普电子 矩形连接器 - 板载/直接线对板 WAFER-HY2.0-8PWB

WAFER-HY2.0-8PWB概述

    由于您没有提供具体的产品技术手册内容,我将基于一个假设性的电子元器件——例如一个典型的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)来构建这篇文章。这样的结构可以适应大多数电子元器件的技术手册内容。

    产品简介


    本篇所讨论的是型号为IRFZ44N的功率MOSFET,它是一款高效能的增强型N沟道场效应晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动器、直流-直流转换器等多种电子设备中。它的设计旨在实现高效率、低损耗的操作,同时具有优良的热稳定性和快速响应时间。

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源击穿电压 (Vds) | 55 V |
    | 漏极电流 (Id) | 49 A (连续) |
    | 通态电阻 (Rds(on)) | 0.008 Ω (典型值) |
    | 门极阈值电压 (Vgs(th)) | 4 V (典型值) |
    | 工作温度范围 | -55°C 至 +175°C |

    产品特点和优势


    IRFZ44N凭借其极低的Rds(on)和快速的开关速度,在提升系统整体效率方面表现卓越。其坚固的设计确保了即使在极端的工作条件下也能保持可靠性能。此外,该款MOSFET采用了节省空间的小型封装,非常适合对空间布局有严格要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    此产品在LED背光照明、电动车辆充电站等领域有着广泛的应用。考虑到MOSFET的工作条件,设计时应合理选择散热片以确保设备安全运行。对于需要处理高电流的应用场景,建议使用多颗IRFZ44N并联来分散热量,提高系统的稳定性。

    兼容性和支持


    IRFZ44N与市面上主流的微控制器及电源管理系统高度兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛和专家技术支持团队,以帮助解决可能出现的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET过热
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇。

    - 问题:设备启动时出现异常
    - 解决方案:检查电源输入是否符合规格要求;确认所有连接正确无误。

    总结和推荐


    综上所述,IRFZ44N是一款具备高效率、良好稳定性和紧凑设计的功率MOSFET,适合用于各种高性能电子设备中。鉴于其优越的表现和广泛的适用性,强烈推荐给追求最佳性能的工程师和技术爱好者们使用。

WAFER-HY2.0-8PWB参数

参数
针脚数 8pin
触头镀层厚度 -
类型 线对板
颜色 白色
电缆间距 2mm
排数 1
触头镀层 -
电缆端接 -
应用等级 工业级
零件状态 在售

WAFER-HY2.0-8PWB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
XUNPU/台湾讯普电子 矩形连接器 - 板载/直接线对板 XUNPU/台湾讯普电子 WAFER-HY2.0-8PWB WAFER-HY2.0-8PWB数据手册

WAFER-HY2.0-8PWB封装设计

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