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ULC0511DN

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 9.8V 5.4V DFN-1006
供应商型号: ULC0511DN DFN1006
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
LEIDITECH/上海雷卯电子 TVS二极管/ESD抑制器 ULC0511DN

ULC0511DN概述


    产品简介


    本技术手册介绍的是型号为ULC0511DN的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode)。这种二极管主要用于保护敏感电路免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件的影响。ULC0511DN适用于广泛的消费电子产品,如USB 2.0电源和数据线、机顶盒和数字电视、数字视频接口(DVI)、笔记本电脑、SIM端口和10/100以太网。

    技术参数


    - 基本参数:额定工作电压5V,最大峰值脉冲功率Ppp达到一定的水平(未明确数值),符合IEC 61000-4-2 ESD免疫测试标准,空气放电和接触放电分别为±15kV和±10kV。
    - 绝对最大额定值:工作温度范围TJ为-55℃至+125℃,存储温度范围TSTJ为-55℃至+150℃。
    - 电气特性:在25℃时的反向工作电压(VRWM)为5V,击穿电压(VBR)为5.4V,最大电流(IR)为0.5μA,正向电压降(VC@1A)为9.8V。
    - 封装与尺寸:采用SOD-882封装,外形尺寸和引脚配置详细信息可在相应图示中找到。

    产品特点和优势


    ULC0511DN的最大特点在于其超低泄漏电流(nA级别),这对于保持设备在高可靠性工作状态至关重要。同时,它还具有低钳位电压的优势,这意味着在发生ESD事件时,IC暴露的电压被限制在一个较低的水平。这确保了更佳的安全性和可靠性。此外,产品符合RoHS标准,具有优异的耐热性和防火性能,适用于多种严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    ULC0511DN广泛应用于各种电子设备中,如USB 2.0端口、机顶盒、数字电视系统、笔记本电脑等。对于设计工程师而言,在使用这类TVS二极管时,需考虑其在具体应用环境下的性能表现,确保选择合适的TVS来满足特定电路的需求。例如,在高频率、高数据速率的应用环境中,建议优先考虑TVS的响应速度和低电容特性。

    兼容性和支持


    ULC0511DN与其他标准电子元器件兼容,可在广泛的应用环境中稳定运行。上海莱迪科技有限公司提供了详尽的产品技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的各项功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高湿度环境下,产品工作异常。
    - 解决办法:检查电路连接是否牢固,考虑使用具有更高防护等级的产品。
    - 问题:ESD保护效果不理想。
    - 解决办法:重新评估电路布局,确保TVS二极管正确安装并处于合理的位置以发挥最佳保护作用。

    总结和推荐


    综上所述,ULC0511DN瞬态电压抑制二极管凭借其卓越的抗ESD性能、低泄漏电流和良好的电气特性,成为各类电子产品ESD保护的理想选择。它不仅适用于消费电子领域,也可用于工业控制和通信设备等领域。考虑到其出色的性价比和可靠的性能,强烈推荐使用ULC0511DN来提升电子产品的整体可靠性和稳定性。

ULC0511DN参数

参数
极性 -
工作电压 -
箝位电压 9.8V
击穿电压 5.4V
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
通用封装 DFN-1006

ULC0511DN厂商介绍

Leiditech(雷迪泰克)是一家专注于智能传感器技术的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能传感器产品。公司主营产品包括但不限于:

1. 光电传感器:用于检测物体的存在和位置,广泛应用于自动化设备、机器人、智能交通等领域。
2. 接近传感器:用于检测物体的接近程度,常用于工业自动化、汽车制造等行业。
3. 光纤传感器:以其高精度和抗干扰能力,被广泛应用于精密测量、环境监测等场合。
4. 视觉传感器:通过图像识别技术,实现对物体的识别、定位和测量,广泛应用于智能制造、质量检测等领域。

Leiditech的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 产品性能:产品具有高灵敏度、高稳定性和高可靠性,满足严苛工业环境需求。
- 定制服务:提供定制化解决方案,满足客户特定应用需求。
- 全球布局:拥有广泛的国际销售网络,产品远销全球多个国家和地区。

Leiditech以其卓越的技术和服务,为客户提供高质量的传感器解决方案,助力各行各业实现智能化升级。

ULC0511DN数据手册

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LEIDITECH/上海雷卯电子 TVS二极管/ESD抑制器 LEIDITECH/上海雷卯电子 ULC0511DN ULC0511DN数据手册

ULC0511DN封装设计

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