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MR2A08ACYS35

产品描述: 4Mb (512K x 8) 512 k x 8 3V 135mA 3.6V Parallel 8bit SOP 贴片安装
供应商型号: UA-MR2A08ACYS35
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) MR2A08ACYS35

MR2A08ACYS35概述


    产品简介


    产品名称: MR2A08A
    产品类型: 磁阻随机存取存储器(MRAM)
    主要功能:
    - 提供高速读写操作(35纳秒)
    - 兼容SRAM控制时序,无需重新设计现有控制器
    - 数据具有永久非易失性,即使在高温环境下也能保持超过20年
    - 支持无限次读写循环
    - 在电源丢失时自动保护数据
    应用领域:
    - 需要快速永久存储关键数据和程序的应用
    - 需要高可靠性的工业控制系统
    - 汽车电子系统
    - 存储需要非易失性存储器的应用场合

    技术参数


    技术规格:
    - 内存容量: 512K x 8位
    - 工作电压: 3.3V
    - 工作温度范围: 商业级(0°C 至 +70°C),工业级(-40°C 至 +85°C),AEC-Q100级1(-40°C 至 +125°C)
    - 封装形式: 44引脚TSOP2,48引脚FBGA
    性能参数:
    - 读/写周期时间: 35纳秒
    - 地址访问时间: 35纳秒
    - 输出使能访问时间: 15纳秒
    - 输出高电平电压: 2.4V 至 VDD - 0.2V
    - 输出低电平电压: 0.2V 至 VSS + 0.2V
    电气特性:
    - 输入高电平电压: 2.2V 至 VDD + 0.3V
    - 输入低电平电压: -0.5V 至 0.8V
    - 最大输入泄漏电流: ±1μA
    - 最大输出泄漏电流: ±1μA
    - 功耗: 最大为0.6W
    工作环境:
    - 储存温度范围: -55°C 至 150°C
    - 引脚焊接温度: 最大260°C (3分钟内)

    产品特点和优势


    产品优势:
    - 无限读写循环次数,避免了Flash、EEPROM等非易失性存储器的寿命限制
    - 自动数据保护机制,确保在电源故障时数据安全
    - 简化系统设计,减少电池管理成本,提升可靠性
    - 广泛的工作温度范围,适应恶劣环境
    - 通过AEC-Q100认证,适用于汽车电子应用

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 数据记录仪:如飞机黑匣子,要求在极端环境下持久保存关键数据
    - 工业自动化:如PLC系统,要求在各种工业环境中稳定运行
    使用建议:
    - 确保电源稳定,遵循电源上电和断电序列以避免数据损坏
    - 注意外部磁场的干扰,尤其是写入数据时,应避免超过最大磁场强度

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 兼容现有的低功耗SRAM产品和非易失性RAM产品
    支持和服务:
    - 厂商提供详细的技术手册和技术支持
    - 提供商业、工业和AEC-Q100级的多种温度范围选择

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 数据读写速度慢 | 确认电源稳定,符合电源上电和断电要求 |
    | 存储数据不稳定 | 检查电源电压是否在规定范围内,防止外部磁场干扰 |
    | 高温下性能下降 | 使用工业级或AEC-Q100级产品,确保工作温度范围 |

    总结和推荐



    总结

    :
    - MR2A08A是一款高性能的磁阻随机存取存储器,具备无限读写循环次数、数据非易失性和自动数据保护等功能,非常适合对数据安全性要求高的应用领域。

    推荐:
    - 强烈推荐用于工业自动化、数据记录和汽车电子等应用场景,特别是在需要高度可靠的数据存储场合。

MR2A08ACYS35参数

参数
最小工作供电电压 3V
组织 512 k x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 4Mb (512K x 8)
最大供电电流 135mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

MR2A08ACYS35厂商介绍

Everspin Technologies是一家领先的磁阻随机存取存储器(MRAM)技术公司,专注于开发和制造非易失性存储器解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. MRAM存储器:提供高性能、高可靠性的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和持久存储的应用。

2. STT-MRAM:自旋转移力矩磁阻存储器,以其低功耗和高速度而闻名,适用于需要快速读写操作的场景。

3. Toggle MRAM:切换式磁阻存储器,以其高密度和高耐用性而受到青睐,适用于需要大容量存储和频繁数据更新的应用。

Everspin Technologies的产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:

- 工业控制:用于实现关键任务的数据处理和存储。
- 汽车电子:为车载系统提供可靠的数据存储解决方案。
- ****:在极端环境下保持数据的完整性和可靠性。
- 数据中心:作为高速缓存或持久存储,提高数据处理效率。

Everspin Technologies的优势在于:

- 技术领先:拥有先进的MRAM技术,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。
- 定制化服务:能够根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
- 广泛的应用领域:产品适用于多个行业,具有广泛的市场潜力。
- 持续创新:不断研发新技术,以满足不断变化的市场需求。

MR2A08ACYS35数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) EVERSPIN TECHNOLOGIES MR2A08ACYS35 MR2A08ACYS35数据手册

MR2A08ACYS35封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 32.75 ¥ 274.445
40+ $ 31.9125 ¥ 267.4268
135+ $ 30.2375 ¥ 253.3903
367+ $ 27.15 ¥ 227.517
库存: 47
起订量: 4 增量: 135
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