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MR4A16BCYS35

产品描述: 16Mb (1M x 16) 1Mx16 3V 180mA 3.6V Parallel 16bit TSOP-54 贴片安装 22.22mm(长度)*10.16mm(宽度)
供应商型号: UA-MR4A16BCYS35
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) MR4A16BCYS35

MR4A16BCYS35概述


    产品简介


    MR4A16B:非易失性磁阻随机存取存储器(MRAM)
    产品类型:磁阻随机存取存储器(MRAM)
    主要功能:快速读写,非易失性存储
    应用领域:适用于需要永久存储关键数据和程序的系统,例如工业自动化、医疗设备和通信基础设施。

    技术参数


    电源电压:+3.3 V
    读写周期时间:35 ns
    输入高电平电压:2.2 V 至 VDD + 0.3 V
    输入低电平电压:-0.5 V 至 0.8 V
    温度范围:
    - 商业级:0 °C 至 70 °C
    - 工业级:-40 °C 至 85 °C
    存储温度范围:-55 °C 至 150 °C

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 无限读写耐久性
    - 非易失性存储,数据可在超过20年内保持不变
    - 支持SRAM兼容时序
    - 包含内部单比特纠错码(ECC),每64位数据包含7个ECC校验位
    优势:
    - 替代Flash、SRAM、EEPROM和BB-SRAM,简化系统设计
    - 通过取代电池备份的SRAM,提升系统可靠性
    - 符合RoHS标准,满足环保要求
    - 可用小尺寸的BGA和TSOP2封装,适应多种应用场景

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制系统中的关键数据存储
    - 医疗设备中的安全数据存储
    - 通信基础设施中的配置数据存储
    使用建议:
    - 在进行写操作之前确保VDD大于VDD(min)并等待2ms以允许内存电源稳定
    - 设计电路时确保E和W信号跟踪VDD并在启动时间内保持高电平

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与类似低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容
    支持:
    - 提供详细的订单信息和机械图纸
    - 提供详细的电气特性和时序规范,确保正确使用和集成

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免数据损坏?
    解决办法:确保VDD始终大于VDD(min),且不要超过绝对最大电压值。
    问题2:如何选择正确的温度范围?
    解决办法:根据具体应用场景选择商业级(0至70°C)或工业级(-40至85°C)的产品。

    总结和推荐


    综合评估:
    - MR4A16B是一款高性能的非易失性磁阻随机存取存储器,具备无限制的读写耐久性和极高的数据可靠性。
    - 该产品在关键数据存储应用中表现出色,特别适合需要快速、可靠数据存储的工业、医疗和通信系统。
    推荐:
    - 高度推荐MR4A16B作为关键数据存储解决方案,特别是在需要长期数据保存的应用场景中。

MR4A16BCYS35参数

参数
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 3V
组织 1Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 16Mb (1M x 16)
最大供电电流 180mA
最大时钟频率 -
长*宽*高 22.22mm(长度)*10.16mm(宽度)
通用封装 TSOP-54
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

MR4A16BCYS35厂商介绍

Everspin Technologies是一家领先的磁阻随机存取存储器(MRAM)技术公司,专注于开发和制造非易失性存储器解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. MRAM存储器:提供高性能、高可靠性的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和持久存储的应用。

2. STT-MRAM:自旋转移力矩磁阻存储器,以其低功耗和高速度而闻名,适用于需要快速读写操作的场景。

3. Toggle MRAM:切换式磁阻存储器,以其高密度和高耐用性而受到青睐,适用于需要大容量存储和频繁数据更新的应用。

Everspin Technologies的产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:

- 工业控制:用于实现关键任务的数据处理和存储。
- 汽车电子:为车载系统提供可靠的数据存储解决方案。
- ****:在极端环境下保持数据的完整性和可靠性。
- 数据中心:作为高速缓存或持久存储,提高数据处理效率。

Everspin Technologies的优势在于:

- 技术领先:拥有先进的MRAM技术,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。
- 定制化服务:能够根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
- 广泛的应用领域:产品适用于多个行业,具有广泛的市场潜力。
- 持续创新:不断研发新技术,以满足不断变化的市场需求。

MR4A16BCYS35数据手册

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EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) EVERSPIN TECHNOLOGIES MR4A16BCYS35 MR4A16BCYS35数据手册

MR4A16BCYS35封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 40.825 ¥ 342.1135
27+ $ 40.825 ¥ 342.1135
92+ $ 40.825 ¥ 342.1135
249+ $ 39.3125 ¥ 329.4388
库存: 274
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