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W29N01HZBINA TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128MB 128 M x 8 1.7V 25mA 1.95V ONFI 8bit VFBGA-63 贴片安装,黏合安装
供应商型号: W29N01HZBINA TR VFBGA-63(9X11)
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W29N01HZBINA TR

W29N01HZBINA TR概述

    # 高质量文章:W29N01HZ/W NAND Flash存储器技术详解

    1. 产品简介


    W29N01HZ/W是一款专为嵌入式系统设计的高性能NAND闪存芯片,具有1G-bit(即128MB)的存储容量,采用单级单元(SLC)技术。这款存储器支持1.7V至1.95V的工作电压,总存储容量达138,412,032字节,可划分为1,024个可擦除块,每个块包含64页可编程页面。每页包含2,048字节的主数据存储区及64字节的备用数据区。该器件广泛应用于代码影射到RAM、固态存储器以及语音、视频、文本和图片媒体数据的存储。

    2. 技术参数


    以下是W29N01HZ/W的关键技术参数和性能指标:
    - 密度:1G-bit (128M-byte)
    - 电压范围:1.7V至1.95V
    - 总存储容量:138,412,032字节
    - 页面大小:2,112字节(主区2,048字节,备用区64字节)
    - 块大小:64页,每页2,048字节
    - 读性能:随机读取25μs,顺序读取25ns
    - 写入/擦除性能:页面编程时间250μs,块擦除时间2ms
    - 耐久性:10万次擦除/编程周期
    - 数据保持能力:10年
    此外,W29N01HZ/W支持标准NAND命令集,并通过8位或16位数据总线传输数据、地址和指令。该器件具备低功耗特性,典型工作电流为13mA(@1.8V),待机电流仅为10μA。

    3. 产品特点和优势


    W29N01HZ/W的主要优势在于其卓越的性能和可靠性。具体如下:
    - 高密度集成:单芯片解决方案,节省空间,便于系统设计。
    - 低功耗:支持低电压操作,显著降低能耗,延长电池寿命。
    - 高性能:随机读取仅需25μs,顺序读取可达25ns,适用于实时应用。
    - 高可靠性:支持高达10万次擦除/编程周期,数据保持长达10年,确保长期稳定运行。
    - 灵活接口:支持8位和16位接口,适用于多种嵌入式平台。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    W29N01HZ/W广泛应用于以下领域:
    - 嵌入式系统:如工业控制、医疗设备和消费电子产品中的代码存储。
    - 多媒体存储:适用于语音、视频和图片的存储需求。
    - 固态硬盘:作为嵌入式存储模块的核心组件。
    使用建议
    为了充分发挥其性能,建议:
    - 将页面大小设置为默认值2,112字节,以最大化存储效率。
    - 在写入和擦除操作前,确保目标块未被锁定或标记为无效。
    - 在高频率读写场景中,合理利用备用区存储错误管理数据,提升系统容错能力。

    5. 兼容性和支持


    W29N01HZ/W兼容标准NAND闪存接口,能够无缝对接现有嵌入式系统设计。晶圆科技提供全面的技术支持,包括硬件参考设计、软件开发套件以及售后维护服务,确保客户快速部署和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方法:
    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备无法正常启动 | 检查供电电压是否符合要求(1.7V~1.95V)。 |
    | 数据丢失 | 确认备用区是否正确配置并启用错误管理功能。 |
    | 编程失败 | 检查目标块是否处于有效状态。 |

    7. 总结和推荐


    W29N01HZ/W是一款性能优越、可靠稳定的NAND闪存芯片,适合各种嵌入式应用需求。其高密度、低功耗和卓越的性能使其在市场上具有很强的竞争力。因此,对于需要高效存储解决方案的开发者,强烈推荐使用此产品。

W29N01HZBINA TR参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 ONFI
存储容量 128MB
最大供电电流 25mA
通用封装 VFBGA-63
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W29N01HZBINA TR数据手册

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W29N01HZBINA TR封装设计

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