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W25Q256FVEIF

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256Mb (32M x 8) 2.7V 20mA 3.6V 104MHz SPI 贴片安装
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标准整包数: 0
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q256FVEIF

W25Q256FVEIF概述

    W25Q256FV 256M-bit Serial Flash Memory

    1. 产品简介


    W25Q256FV是一款存储容量为256M位的串行闪存,适用于空间有限且资源受限的系统。它特别适合于代码阴影到RAM、直接从双/四路串行外围接口(SPI)执行代码,以及存储语音、文本和数据。其操作电源电压范围为2.7V至3.6V,运行时电流消耗低至4mA,休眠状态下的电流仅为1μA。所有器件均采用节省空间的封装形式。

    2. 技术参数


    - 存储容量:256M位
    - 工作电压:2.7V~3.6V
    - 运行电流:4mA(活跃状态),1μA(休眠状态)
    - 芯片组织:131,072个可编程页,每页256字节
    - 擦除单位:最小4KB,最大64KB
    - 支持的接口:标准SPI、双/四路输入输出SPI、Quad Peripheral Interface (QPI)
    - 最大SPI频率:104MHz
    - 最大转移速率:当使用快速读取双/四路输入输出指令时,最高可达416MHz

    3. 产品特点和优势


    - 灵活性和高性能:W25Q256FV提供灵活的编程和擦除选项,支持标准SPI、双/四路SPI及Quad Peripheral Interface (QPI),使得其在执行速度上能够超过传统的异步8位和16位并行闪存。
    - 高效率内存访问:Continuous Read Mode允许高效的内存访问,最多仅需8个时钟周期即可读取一个24位地址,实现真正的XIP操作。
    - 低功耗:在活跃状态下仅消耗4mA,在休眠状态下仅消耗1μA,非常适合电池供电的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    W25Q256FV可用于多种应用场景,如嵌入式系统、存储设备和安全控制设备。在实际应用中,用户可以根据具体需求选择合适的编程模式(例如4KB扇区擦除或64KB块擦除)。为了提高数据存储的灵活性和可靠性,建议将重要的数据分布在不同的块或扇区内,以减少单一故障点的影响。

    5. 兼容性和支持


    W25Q256FV支持多种封装形式,包括WSON 8x6-mm、SOIC 300-mil、PDIP 300-mil、TFBGA 8x6-mm等。对于开发和支持,厂商提供了详细的技术手册和丰富的技术支持资源,包括编程指南和故障排除文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何进行初始化?
    - 解决方案:通过发送`Write Enable`命令后,再发送相应的指令进行初始化设置。

    - 问题2:如何锁定数据块?
    - 解决方案:使用`Individual Block/Sector Lock`命令来锁定特定的数据块。
    - 问题3:如何擦除整个芯片?
    - 解决方案:使用`Chip Erase`命令来清除所有数据,该过程可能需要较长时间,请耐心等待完成后再进行读取操作。

    7. 总结和推荐


    综上所述,W25Q256FV凭借其高效率、低功耗和灵活的操作特性,在嵌入式系统和存储应用中表现卓越。其广泛的封装形式和详细的文档支持,使其成为系统设计者的理想选择。推荐在需要高性能和低功耗的存储解决方案中使用该产品。

W25Q256FVEIF参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI
存储容量 256Mb (32M x 8)
最大供电电流 20mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

W25Q256FVEIF数据手册

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W25Q256FVEIF封装设计

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