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W25Q128JVCIM TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (16M x 8) 2.7V 3.6V 133MHz DTR,QPI,SPI-Quad I/O TFBGA-24 贴片安装,黏合安装
供应商型号: W25Q128JVCIM TR TFBGA-24(6X8)
供应商: 期货订购
标准整包数: 2000
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q128JVCIM TR

W25Q128JVCIM TR概述

    # 高性能工业级SPI串行闪存:W25Q128JV-DTR 技术手册

    产品简介


    W25Q128JV-DTR 是一款高性能工业级的128M-bit(16M-byte)串行闪存芯片,由Winbond公司研发并发布。它专为对空间、引脚和功耗要求较高的系统设计,具有极高的灵活性和性能表现。这款芯片提供了标准串行外设接口(SPI)、双输入输出模式、四输入输出模式以及四通道并行接口(QPI),同时支持双倍传输率(DTR)。W25Q128JV-DTR可以用于代码阴影(Code Shadowing)、直接执行代码(XIP,Execute In Place)、语音、文本和数据存储等多种应用场景。

    技术参数


    以下为W25Q128JV-DTR的关键技术参数:
    | 参数类别 | 具体参数 |

    | 存储容量 | 128M-bit(16M-byte) |
    | 工作电压范围 | 2.7V ~ 3.6V |
    | 功耗 | 休眠模式下仅需1μA |
    | 操作温度范围 | 工业级和工业增强级 |
    | 页面大小 | 256字节 |
    | 程序页面数量 | 65,536页 |
    | 最大支持SPI时钟频率 | 单通道133MHz;双通道266MHz;四通道532MHz |
    | 数据吞吐量 | 连续读取速度高达66MB/s |

    产品特点和优势


    W25Q128JV-DTR的主要功能和技术优势如下:
    - 支持多种操作模式:标准SPI、双/四通道SPI及QPI,满足不同应用需求;
    - 高性能表现:具备行业领先的读写速度(最高达532MHz等效时钟频率)和擦写寿命(≥10万次擦写循环);
    - 大容量存储:可划分为4,096个4KB的小扇区,提供更大的存储单元灵活性;
    - 灵活的保护机制:支持软件与硬件重置功能,提供更可靠的数据安全性;
    - 标准化ID与序列号支持:符合JEDEC标准,具备唯一的64位序列号。

    应用案例和使用建议


    W25Q128JV-DTR广泛应用于嵌入式系统中,例如工业控制设备、网络通信设备、汽车电子设备等。为了更好地发挥其性能优势,建议采取以下策略:
    - 在需要快速加载程序的应用场景下,优先考虑使用连续读取模式以减少指令开销;
    - 对于数据密集型应用,合理规划数据分布,利用小扇区特性提高数据管理效率;
    - 当进行大批量数据传输时,选用高带宽的四通道模式来提升整体传输速率。

    兼容性和支持


    W25Q128JV-DTR芯片与市场上主流的微控制器兼容良好,且配备了详细的文档和支持服务。Winbond公司提供了详尽的技术资料库,包括应用指南、编程手册等,以帮助开发者解决开发过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 写入速度较慢 | 检查供电电压是否稳定,确保达到规定范围。如果电压正常但仍存在问题,则尝试更新固件。 |
    | 设备无法识别 | 确认接线无误后,检查是否存在信号干扰情况,必要时更换硬件连接点。 |
    | 存储容量不足 | 考虑增加外部存储设备或者优化现有存储布局。 |

    总结和推荐


    综上所述,W25Q128JV-DTR凭借其卓越的性能、广泛的适用性以及完善的售后服务,在工业自动化、消费类电子产品等领域展现出强大的市场竞争力。因此,对于寻求高效能、低功耗解决方案的用户而言,这款产品无疑是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐此款芯片给所有希望在项目中实现更高性能目标的设计者们。

W25Q128JVCIM TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 DTR,QPI,SPI-Quad I/O
存储容量 128Mb (16M x 8)
最大供电电流 -
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
通用封装 TFBGA-24
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q128JVCIM TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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W25Q128JVCIM TR封装设计

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