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W25Q80DVSSIG/TRAY

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: Winbond 8Mbit NOR闪存芯片, SPI接口, SOIC-8, 5.38 x 5.38 x 1.91mm
供应商型号: 1712234
供应商: 欧时
标准整包数: 15
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q80DVSSIG/TRAY

W25Q80DVSSIG/TRAY概述

    W25Q80DV/DL 8M-bit Serial Flash Memory

    1. 产品简介


    W25Q80DV/DL是一款8M位(1M字节)的串行闪存,适用于空间受限、引脚数量有限且电源功率较低的系统。该系列提供了一系列超越普通串行闪存的功能和性能。W25Q80DV/DL主要用于代码影子复制到RAM、直接执行双/四SPI(XIP)代码以及存储语音、文本和数据。该芯片可在单个2.7V至3.6V的供电下运行,而W25Q80DL则能在2.3V至3.6V的供电下运行,待机电流消耗低至1µA。

    2. 技术参数


    - 存储容量:8M位(1M字节)
    - 每页可编程字节数:256字节
    - 扇区擦除:4KB扇区
    - 块擦除:32KB块和64KB块
    - 芯片擦除:整片擦除
    - 供电电压:
    - W25Q80DV:2.7V至3.6V
    - W25Q80DL:2.3V至3.6V
    - 待机电流:<1µA
    - 最高性能:
    - W25Q80DV:104MHz双/四SPI时钟,208/416MHz等效双/四SPI
    - W25Q80DL:80MHz双/四SPI时钟,160/320MHz等效双/四SPI

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:支持高达104MHz的SPI时钟频率,最大数据传输速率可达50MB/s。
    - 灵活的架构:采用统一的4KB扇区和32KB及64KB块,提供了更高的灵活性。
    - 安全特性:支持软件和硬件写保护,拥有64位唯一序列号和可发现的参数寄存器。
    - 低功耗:W25Q80DV和W25Q80DL均具有极低的待机电流,分别在2.7V至3.6V和2.3V至3.6V供电下运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 代码执行:适用于需要执行代码直接从双/四SPI存储器的情况。
    - 数据存储:用于存储文本、语音和数据。
    - 建议:为了优化性能,建议在使用Fast Read Dual/Quad I/O指令时,选择高时钟频率以提高数据传输速率。对于需要大量擦写的场景,应注意扇区和块擦除次数的限制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持标准SPI接口以及高效率的双/四输出SPI接口。
    - 支持信息:Winbond公司提供KGD(Known Good Die)和其他包装选项的支持。如需了解更多,请联系Winbond获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:无法启动设备。
    - 解决方法:检查供电电压是否在规定范围内,并确认所有必要的引脚已正确连接。
    - 问题:数据传输速率低。
    - 解决方法:尝试提高SPI时钟频率,或者使用Fast Read Dual/Quad I/O指令以提升数据传输速率。
    - 问题:设备在擦写操作后数据丢失。
    - 解决方法:确保在擦写操作期间设备未处于断电状态,并检查写保护配置是否正确。

    7. 总结和推荐


    W25Q80DV/DL凭借其卓越的性能、灵活的架构和丰富的安全特性,成为了一款理想的串行闪存解决方案。无论是用于代码执行还是数据存储,它都能提供高效可靠的性能。建议在需要高性能和低功耗的项目中使用该产品。总体而言,W25Q80DV/DL是一款值得推荐的产品。

W25Q80DVSSIG/TRAY参数

参数
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI
存储容量 32MB
最大供电电流 60mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 1M x 8
长*宽*高 5.38mm*5.38mm*1.91mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装

W25Q80DVSSIG/TRAY数据手册

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WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) WINBOND/台湾华邦 W25Q80DVSSIG/TRAY W25Q80DVSSIG/TRAY数据手册

W25Q80DVSSIG/TRAY封装设计

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