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W25Q512JVFIM

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 512Mb (64M x 8) 2.7V 50mA 3.6V 133MHz SPI-Quad I/O SOIC-16 贴片安装
供应商型号: 14M-W25Q512JVFIM SOP-16
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q512JVFIM

W25Q512JVFIM概述

    W25Q512JV 512M-bit Serial Flash Memory 技术手册解析

    1. 产品简介


    W25Q512JV 是一种高性能的512兆位(512M-bit)串行闪存存储器,专为系统空间有限的应用而设计。属于25Q系列的存储器,具有灵活的设计和出色的性能,适用于代码阴影化到RAM、直接从双输入/四输入串行外设接口(Dual/Quad SPI)执行代码(XIP),以及存储语音、文本和数据。这些特性使得W25Q512JV非常适合需要高效存储和快速读写操作的应用场景。

    2. 技术参数


    - 供电范围:单电源2.7V至3.6V。
    - 电流消耗:功率关闭时电流小于1µA。
    - 存储容量:512M-bit / 64M-byte。
    - 页组织结构:262,144个可编程页面,每个页面大小为256字节。
    - 擦除单位:16个页面(4KB扇区擦除)、128个页面(32KB块擦除)、256个页面(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)。
    - 擦除周期:每个扇区至少10万次擦除周期。
    - 数据保留:超过20年的数据保留时间。
    - 最大时钟频率:标准/双输入/四输入SPI时钟可达133MHz。
    - 数据传输率:连续数据传输速率高达66MB/s。
    - 温度范围:工作温度范围为-40°C至+85°C。

    3. 产品特点和优势


    W25Q512JV 采用了最新的SPI闪存技术,支持标准、双输入和四输入SPI模式,这极大地提高了数据读写速度。其支持的最高时钟频率为133MHz,通过双输入和四输入模式,相当于达到了266MHz和532MHz的传输速率,远远超过了传统的并行闪存。此外,W25Q512JV 还具备先进的安全功能,如软件和硬件写保护、电源锁定、特殊的OTP保护、顶部/底部保护以及独立块/扇区保护,确保数据的安全性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 代码执行:W25Q512JV 支持代码阴影化到RAM及直接执行(XIP),非常适用于需要快速加载和执行代码的应用。
    - 数据存储:在各种数据存储应用中,小的4KB扇区提供了更高的灵活性。
    - 低功耗设备:对于要求低功耗的应用,如物联网设备,W25Q512JV的超低功耗(小于1µA的功率关闭状态)是一个显著的优势。

    5. 兼容性和支持


    W25Q512JV 支持标准SPI、双输入SPI和四输入SPI协议,与大多数现有的微控制器和接口芯片高度兼容。厂商提供了详细的文档和技术支持,以帮助用户进行有效的集成和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确进入4字节地址模式?
    - A: 使用指令 `Enter 4-Byte Address Mode (B7h)` 来进入4字节地址模式。
    - Q: 如何释放功率关闭状态?
    - A: 使用指令 `Release Power-down / Device ID (ABh)` 来释放功率关闭状态。
    - Q: 如何擦除扇区?
    - A: 使用指令 `Sector Erase (20h)` 或者 `Sector Erase with 4-Byte Address (21h)` 擦除扇区。

    7. 总结和推荐


    W25Q512JV 作为一款高性能的串行闪存,拥有强大的数据处理能力和出色的安全特性,特别适合于需要高效数据存储和处理的应用场景。无论是用于物联网设备、嵌入式系统还是其他需要高可靠性和高效能的应用场合,W25Q512JV 都是理想的选择。因此,强烈推荐此款产品给需要高性能和高可靠性存储解决方案的用户。

W25Q512JVFIM参数

参数
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 512Mb (64M x 8)
最大供电电流 50mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.6V
通用封装 SOIC-16
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

W25Q512JVFIM数据手册

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W25Q512JVFIM封装设计

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