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W25N01GVSFIT

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128MB 128 M x 8 35mA 3.6V 104MHz Serial (SPI,Dual SPI,Quad SPI) 8bit SOIC-16 贴片安装
供应商型号: W25N01GVSFIT SOIC-16-300MIL
供应商: 期货订购
标准整包数: 44
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25N01GVSFIT

W25N01GVSFIT概述

    # W25N01GVxxxG/T/R 3V 1G-BIT SERIAL SLC NAND FLASH MEMORY

    产品简介


    W25N01GVxxxG/T/R是一款高性能的串行单层单元(SLC) NAND闪存芯片,专为嵌入式系统设计。该产品容量为1Gb,工作电压为3V,具有双SPI和四SPI接口模式,提供快速缓冲读取和连续读取功能。主要应用于消费电子、工业控制、网络通信及物联网设备等领域。

    技术参数


    基本参数
    - 容量:1Gb
    - 接口类型:双SPI/四SPI
    - 工作电压:3V
    - 工作温度范围:-40°C至+85°C
    - 存储温度范围:-65°C至+150°C
    性能参数
    - 写入速度:最高可达50MB/s(四SPI模式)
    - 读取速度:最高可达104MB/s(四SPI模式)
    - 擦除次数:高达10万次
    - 数据保持时间:大于10年
    工作环境
    - 最大电源电流:25mA
    - 最小电源电流:5mA
    - 工作频率:最大支持104MHz

    产品特点和优势


    W25N01GVxxxG/T/R凭借其高密度存储、高速传输、低功耗以及强大的数据保护机制,在嵌入式系统中表现出色。其关键优势包括:
    - 支持双SPI和四SPI接口,大幅提升数据吞吐量。
    - 集成坏块管理功能,确保数据完整性。
    - 多种指令集支持,灵活适应不同应用场景。
    - 内置ECC纠错引擎,提高数据可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 智能家电:用于存储设备配置参数和日志信息。
    - 工业自动化:作为控制系统的存储介质,支持频繁的数据写入操作。
    - 网络路由器:缓存路由表和其他运行时数据。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑电源稳压措施以避免电压波动对芯片的影响。
    - 配置适当的指令集以充分利用芯片的性能潜力。
    - 定期执行坏块管理检查,及时处理可能出现的问题。

    兼容性和支持


    W25N01GVxxxG/T/R兼容多种封装形式,包括8-pad WSON 8x6-mm、16-pin SOIC 300-mil和24-ball TFBGA 8x6-mm。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请、技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何初始化设备?
    解决方案:发送Device Reset指令(FFh)来初始化设备状态。
    问题2:如何查询设备ID?
    解决方案:使用Read JEDEC ID指令(9Fh)获取设备唯一标识符。
    问题3:如何启用写保护?
    解决方案:通过Write Enable指令(06h)后,设置Write Protect寄存器中的WP-E位为1。

    总结和推荐


    综上所述,W25N01GVxxxG/T/R是一款功能强大且性能卓越的串行NAND闪存芯片,适合需要高密度存储和高效数据传输的应用场景。其优异的可靠性和广泛的适用性使其成为嵌入式系统开发的理想选择。强烈推荐给追求高性能存储解决方案的专业人士和企业用户。

W25N01GVSFIT参数

参数
最大供电电流 35mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 -
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Serial (SPI,Dual SPI,Quad SPI)
存储容量 128MB
通用封装 SOIC-16
安装方式 贴片安装
包装方式 托盘,管装

W25N01GVSFIT数据手册

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W25N01GVSFIT封装设计

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