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W29N01HVSINF

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1Gb (128M x 8) 2.7V 35mA 3.6V Parallel TSOP-48 贴片安装 12mm*18.4mm*1mm
供应商型号: W29N01HVSINF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W29N01HVSINF

W29N01HVSINF概述

    W29N01HV 1G-Bit 3.3V NAND Flash Memory 技术手册

    产品简介


    W29N01HV 是一款专为嵌入式系统设计的1G比特(1Gb)单级单元(SLC)NAND闪存存储解决方案。它具有低功耗、高密度的特点,适用于代码阴影映射至RAM、固态应用及媒体数据存储(如语音、视频、文本和图片)。W29N01HV 的主要特点包括:采用8位总线接口,支持标准的NAND闪存命令集,并提供额外的复制回写(Copy Back)操作。它支持工业温度范围(-40°C 至 85°C),并且具备高耐久性(100,000次擦除/编程周期)和长达10年的数据保留能力。

    技术参数


    - 容量:1G比特/128兆字节
    - 页大小:2,112字节(2048+64字节)
    - 块大小:64页(128K+4K字节)
    - 读性能:
    - 随机读取:25微秒
    - 顺序读取周期:25纳秒
    - 写/擦除性能:
    - 页编程时间:250微秒(典型值)
    - 块擦除时间:2毫秒(典型值)
    - 耐久性:100,000 擦除/编程周期
    - 数据保留:10年
    - 电源电压范围:2.7V 至 3.6V
    - 读电流:25毫安(典型值,3V)
    - 程序/擦除电流:25毫安(典型值,3V)
    - CMOS待机电流:10微安(典型值)

    产品特点和优势


    W29N01HV 的主要优势在于其高密度、低功耗以及卓越的性能。尤其适合需要在有限空间内实现高性能存储的应用场景,如嵌入式系统、固态硬盘和多媒体设备。其独有的复制回写(Copy Back)功能使其在数据管理和纠错方面具备更强的灵活性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    W29N01HV 广泛应用于嵌入式系统、数字电视、智能仪表和手机等领域。例如,在数字电视中,W29N01HV 可以用于存储大量媒体数据,同时保持系统的高性能和低功耗。对于开发者而言,建议在项目初期对存储需求进行详细规划,合理利用其强大的复制回写功能来提高数据管理效率。此外,由于其严格的温度范围要求,确保在合适的工作环境中使用,避免温度过高导致性能下降。

    兼容性和支持


    W29N01HV 支持标准的NAND闪存接口,并提供了多种封装选项,包括48针TSOP1、48球VFBGA和63球VFBGA。Winbond公司提供了丰富的技术支持文档和参考设计资料,方便用户进行开发和集成。对于更复杂的定制需求,可以联系Winbond获取更多帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 如何确保数据完整性和可靠性?
    - 使用W29N01HV的内置错误纠正代码(ECC)机制,确保数据的长期可靠存储。定期进行数据校验和错误检测,及时发现并处理坏块。

    2. 如何处理内存不足的情况?
    - 利用W29N01HV的高密度和高效存储管理功能,通过合理分配和组织存储空间,最大化利用可用资源。必要时,可以考虑增加外部存储或优化存储策略。

    3. 如何处理数据丢失或损坏?
    - 利用W29N01HV的复制回写(Copy Back)功能,将关键数据备份到不同的区域,确保即使发生故障也能快速恢复数据。结合数据校验和错误纠正机制,进一步提高数据安全。

    总结和推荐


    综上所述,W29N01HV是一款高性能、高可靠性的NAND闪存解决方案,特别适用于需要高密度存储和低功耗的嵌入式系统。其卓越的性能、灵活的功能以及完善的售后支持使其在市场上具备较强的竞争力。因此,强烈推荐在需要高性能、高可靠存储解决方案的应用中使用W29N01HV。

W29N01HVSINF参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (128M x 8)
最大供电电流 35mA
长*宽*高 12mm*18.4mm*1mm
通用封装 TSOP-48
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

W29N01HVSINF数据手册

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W29N01HVSINF封装设计

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