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W25Q16DVSNAG

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2MB 2.7V 30mA 3.6V 104MHz SPI-Quad I/O SOIC-8 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q16DVSNAG

W25Q16DVSNAG概述

    W25Q16DV 16M-bit Serial Flash Memory 技术手册

    产品简介


    W25Q16DV 是一款高容量的串行闪存存储器,提供16兆位(2兆字节)的存储空间。这款设备专为有限空间、引脚数量和功率限制的系统设计。该系列提供标准串行外设接口(SPI)、双/四输入输出SPI及双时钟指令周期的四路外围接口(QPI)。适用于需要执行代码直接从双/四输入输出接口(XIP)加载,进行代码阴影复制至RAM的应用场景。它特别适合语音、文本和数据存储,适用于汽车和工业增强等级的产品。

    技术参数


    - 存储容量: 16M-bit / 2M-byte
    - 电源电压: 单电源,2.7V至3.6V
    - 工作电流: 活动模式下4mA,待机模式下<1μA
    - 温度范围: -40°C 至 +85/105°C
    - 接口: 支持标准SPI、双SPI、四SPI和QPI
    - 时钟频率: 标准SPI最高可达80MHz,等效时钟速率:双输入输出可达160MHz,四输入输出可达320MHz
    - 编程/擦除周期: 超过100,000次块擦除/编程周期(汽车级)
    - 数据保持时间: 超过20年
    - 数据传输率: 最高可达40MB/S
    - 包体配置:
    - 8针SOIC 150mil/208mil
    - 8针WSON 6x5mm

    产品特点和优势


    1. 高效的数据访问:支持高达80MHz的标准/双/四SPI时钟频率,显著提升数据传输速度。
    2. 低功耗设计:活动电流仅为4mA,待机电流小于1μA,适用于电池供电设备。
    3. 灵活的存储架构:采用4KB扇区组织方式,提供均匀的扇区擦除和块擦除功能。
    4. 强大的安全性:提供软件和硬件写保护,加上独特的ID号和可编程的写保护,确保数据安全。
    5. 多功能支持:提供标准SPI、双SPI、四SPI和QPI等多种接口选择,满足不同应用场景需求。

    应用案例和使用建议


    W25Q16DV 广泛应用于需要高速数据传输和存储的应用场景,如物联网(IoT)设备、汽车导航系统和工业控制单元。例如,在车载信息娱乐系统中,它可以用于存储操作系统镜像,以实现快速启动。此外,对于需要大量数据存储且对功耗敏感的设备,该器件是理想选择。为了优化性能,建议在设计电路时尽量减少信号干扰,特别是在高频操作时。同时,正确配置SPI/QPI接口,避免不正确的数据读写顺序导致错误。

    兼容性和支持


    W25Q16DV 与多种SPI/QPI协议兼容,易于集成到现有的系统中。厂商提供全面的技术支持,包括产品手册、样品申请和开发工具。建议用户联系Winbond官方获取更多信息和定制化支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 数据传输不稳定。
    - 解决方案: 检查时钟频率设置,确保符合器件规格;检查PCB布局,减小信号干扰。
    2. 问题: 设备在低温度下表现异常。
    - 解决方案: 确认电源电压稳定,避免超过规定的电压范围;增加散热措施,确保器件在工作范围内运行。
    3. 问题: 写保护功能无法启用。
    - 解决方案: 检查写保护引脚(/WP)连接,确保正确接地或接高电平。

    总结和推荐


    W25Q16DV是一款性能卓越的串行闪存存储器,具有高可靠性、低功耗和灵活的存储架构。对于需要高性能数据存储且受限于空间和功率的系统,这款器件是一个极佳的选择。考虑到其广泛的温度适应性和耐用性,非常推荐用于汽车和工业应用中。建议用户仔细阅读手册中的详细技术规格和操作指南,以充分发挥其性能潜力。

W25Q16DVSNAG参数

参数
最大供电电流 30mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 2MB
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 管装

W25Q16DVSNAG数据手册

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WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) WINBOND/台湾华邦 W25Q16DVSNAG W25Q16DVSNAG数据手册

W25Q16DVSNAG封装设计

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