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W25Q01JVZEIQ

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2.7V 3.6V 133MHz SPI-Quad I/O WSON-8 贴片安装
供应商型号: W25Q01JVZEIQ WSON-8-EP(8X6)
供应商: 国内现货
标准整包数: 480
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q01JVZEIQ

W25Q01JVZEIQ概述


    产品简介


    W25Q01JV:高性能双倍堆叠Die串行闪存
    W25Q01JV是Winbond推出的一款1G位(双倍Die堆叠)的串行闪存产品。它采用了标准的SPI、双SPI和四SPI接口设计,能够满足代码复制、直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据等多种需求。该器件适用于空间受限、引脚数量有限且功耗要求较高的系统,广泛应用于各种嵌入式设备中。

    技术参数


    基本参数:
    - 存储容量: 1G位(双倍512M位)
    - 电源电压: 2.7V至3.6V
    - 典型工作电流: 最大读取速度下约为2mA
    - 休眠电流: <2μA
    接口类型:
    - 标准SPI: 时钟(CLK)、片选(/CS)、串行数据输入(DI)、串行数据输出(DO)
    - 双SPI: 时钟(CLK)、片选(/CS)、数据输入输出(IO0, IO1)
    - 四SPI: 时钟(CLK)、片选(/CS)、数据输入输出(IO0, IO1, IO2, IO3)
    性能参数:
    - 最大SPI时钟频率: 133MHz
    - 等效时钟速率: 双SPI可达266MHz,四SPI可达416MHz
    - 连续数据传输率: 最高可达66MB/s
    - 编程擦除周期: ≥100K次
    - 数据保留时间: >20年
    封装形式:
    - WSON 8x6毫米: 8个引脚
    - SOIC 300-mil: 16个引脚
    - TFBGA 8x6毫米(5x5或6x4球阵列): 24个焊球

    产品特点和优势


    性能卓越:
    - 支持高达133MHz的标准、双SPI和四SPI时钟,有效提高了数据传输速度。
    - 最大连续数据传输率可达66MB/s,远超传统异步并行闪存。

    灵活且高效:
    - 内部数组被划分为多个可编程页面,支持多种大小的块擦除,提高了应用灵活性。
    - 每个512M位的Die拥有独立的状态寄存器位,增强了可靠性。

    低功耗及温度范围广:
    - 单电源供电,电压范围宽泛,典型功耗仅2μA,非常适合便携式和电池供电设备。
    - 宽泛的工作温度范围为-40°C到+85°C,适用于各种恶劣环境。
    先进的安全特性:
    - 提供软件和硬件写保护机制,确保数据安全。
    - 内置两个64位唯一序列号,方便进行设备识别。

    空间高效:
    - 支持多种封装形式,以适应不同的系统布局需求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 汽车电子: 用于车载ECU的代码复制和实时数据存储。
    - 工业控制: 在需要大量数据存储且空间有限的工业控制器中使用。
    - 消费电子: 手机、平板电脑等设备的内置存储解决方案。
    使用建议:
    - 针对高速数据传输的应用场景,推荐使用四SPI模式以提高数据吞吐量。
    - 在对功耗敏感的应用环境中,应重点关注休眠电流小于2μA的优势,以延长电池寿命。
    - 若需实现代码直接执行,推荐使用Dual SPI和Quad SPI模式以提高数据读取效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - W25Q01JV具有广泛的SPI接口支持,可以无缝集成到现有的SPI总线中。
    - 适用于多种微控制器和处理器,如ARM Cortex-M系列和RISC-V架构。
    技术支持:
    - Winbond提供详尽的技术文档和软件工具,以帮助开发者快速上手。
    - 通过官方渠道获取KGD(Known Good Die)及其他定制封装选项的支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:
    - 如何进入四字节地址模式?
    - 解决方案: 发送指令0xB7将设备设置为四字节地址模式。
    问题2:
    - 如何退出四字节地址模式?
    - 解决方案: 发送指令0xE9退出四字节地址模式。
    问题3:
    - 设备如何进入低功耗模式?
    - 解决方案: 使用命令0xB9将设备置于低功耗状态。

    总结和推荐


    总结:
    W25Q01JV是一款集高性能、灵活性和安全性于一体的串行闪存,适用于需要高密度存储、低功耗及多接口支持的应用场合。通过多样化的封装选择和强大的技术支持,该产品在市场竞争中具有显著的优势。
    推荐:
    鉴于W25Q01JV在性能、灵活性和安全特性方面的出色表现,强烈推荐该产品作为下一代存储解决方案的选择。对于需要高度可靠性和广泛支持的项目,这款闪存无疑是一个极佳的选择。

W25Q01JVZEIQ参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
通用封装 WSON-8
安装方式 贴片安装
包装方式 托盘

W25Q01JVZEIQ数据手册

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W25Q01JVZEIQ封装设计

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