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W25X40BVSNIG

厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 512KB 2.7V~3.6V 4MX1 2.7V FLASH,Non-Volatile 3.6V 104MHz 7ns SPI 20Year SOIC-8 贴片安装
供应商型号: ZT-W25X40BVSNIG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 带电可擦可编程只读存储器(EEPROM) W25X40BVSNIG

W25X40BVSNIG概述

    W25X10BV/20BV/40BV Serial Flash Memory Technical Overview

    1. 产品简介


    W25X10BV/20BV/40BV 是一款适用于有限空间、引脚和功率限制系统的存储解决方案。该系列提供了超过普通串行闪存设备的灵活性和性能。这些设备适用于代码下载、语音、文本和数据存储等多种场合。W25X10BV、W25X20BV 和 W25X40BV 分别提供1M位、2M位和4M位的存储容量。所有设备均采用紧凑型封装,能够满足空间敏感应用的需求。

    2. 技术参数


    - 存储容量:W25X10BV: 1M-bit/128K-byte;W25X20BV: 2M-bit/256K-byte;W25X40BV: 4M-bit/512K-byte
    - 页编程容量:每页256字节
    - 扇区大小:均匀4KB扇区,32KB和64KB块
    - 操作电压范围:2.7V 至 3.6V
    - 电流消耗:活动状态 4mA,掉电模式 1µA(典型值)
    - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C
    - 通信接口:支持标准 SPI 和双输出/双输入 SPI

    3. 产品特点和优势


    - 灵活的架构:每个页面可编程256字节,扇区大小为4KB,可以灵活适应不同的数据和参数存储需求。
    - 高速数据传输:最高可达208 Mbit/s的数据传输速率,支持高达104MHz的时钟频率。
    - 高效的连续读模式:通过低指令开销实现快速寻址,允许真正的XIP(执行即位)操作。
    - 软件和硬件写保护:支持全片或部分内存的写保护,启用/禁用保护通过/WP引脚控制。
    - 低功耗设计:单电源供电,低至4mA的活动电流和1µA的掉电模式电流。
    - 多样的封装选择:提供8-pin SOIC 150-mil, 8-pin SOIC 208-mil, 8-pad WSON 6x5-mm 和 8-pin PDIP 300-mil 封装选项。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 代码下载和存储
    - 存储语音、文本和数据
    - 快速启动时的代码影射
    - 执行非速度关键代码
    使用建议:
    - 在多设备共享SPI信号的情况下,利用/HOLD引脚来暂停设备操作。
    - 在系统启动时,使用快读双输出指令(3Bh)和快读双输入指令(BBh)进行快速代码下载。

    5. 兼容性和支持


    W25X10BV/20BV/40BV 支持标准 SPI 接口,并兼容其他需要SPI通信的电子元器件。制造商提供了详细的文档和技术支持,以确保用户能够高效地使用该设备。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备无法正常启动 | 检查供电电压是否符合要求(2.7V 至 3.6V),并确保正确的初始化序列 |
    | 数据读取不准确 | 确认通信接口设置正确,并检查外部干扰 |
    | 写保护无法解除 | 检查/WP引脚状态,并确认是否有写保护设置 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,W25X10BV/20BV/40BV 是一款高性能、高可靠性、低功耗的串行闪存设备,适用于各种存储应用。其灵活性和高性能使其在市场中具有很强的竞争力。对于需要高速、可靠数据存储的应用场景,强烈推荐使用此产品。

W25X40BVSNIG参数

参数
接口类型 SPI
存储容量 512KB
组织 4MX1
最小工作供电电压 2.7V
存储器类型 FLASH,Non-Volatile
最大工作供电电压 3.6V
数据保留时长 20Year
最大时钟频率 104MHz
输出使能访问时间 -
最大访问时间 7ns
编程电压 2.7V~3.6V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

W25X40BVSNIG数据手册

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