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W25Q80EWSNIG TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 8Mb (1M x 8) 1.65V 1.95V 104MHz QPI,SPI-Quad I/O SOIC-8 贴片安装
供应商型号: W25Q80EWSNIG TR SOIC-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q80EWSNIG TR

W25Q80EWSNIG TR概述

    W25Q80EW 8M-bit Serial Flash Memory 技术手册

    1. 产品简介


    W25Q80EW 是一种具有8兆位存储容量的串行闪存器件,由Winbond公司生产。它提供了包括标准串行外设接口(SPI)、双输出/四输出以及双输入/输出/四输入/输出的高性能接口。这款器件广泛应用于需要有限空间、引脚数和功耗的应用场景中,如代码影子化、直接从双/四SPI执行代码、语音、文本和数据存储等。其典型应用领域包括消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备等。

    2. 技术参数


    - 存储容量:8M位/1M字节
    - 页编程大小:256字节
    - 电源电压:1.65V至1.95V
    - 电流消耗:活跃时1mA,待机时<1µA
    - 工作温度范围:-40°C至+85°C
    - 接口:SPI、双输出/输入/四输出/输入
    - 数据传输率:高达104MHz,双/四通道数据传输率可达208/416MHz
    - 擦除/编程周期:每个扇区至少10万次
    - 数据保留:超过20年
    - 扇区大小:4KB、32KB和64KB

    3. 产品特点和优势


    W25Q80EW 具有多项独特功能和优势:
    - 高性能:支持高达104MHz的SPI时钟频率,通过双/四通道操作可实现208/416MHz的等效时钟速率。
    - 低功耗:单电源供电下,活跃时仅需1mA,待机时<1µA。
    - 灵活性:采用4KB均匀扇区设计,提供更高的灵活性,适用于数据和参数存储。
    - 安全性:支持软件和硬件写保护,配备64位唯一序列号和3X256字节的安全寄存器,用于特殊OTP保护。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 代码影子化:通过SPI接口将代码从外部存储器复制到RAM中,从而加快启动速度和系统响应时间。
    - 实时数据处理:在高负载环境下,通过双/四通道传输方式快速读取和处理大量数据。
    使用建议:
    - 在进行频繁擦写操作的应用中,确保遵循正确的编程/擦除顺序,以避免损坏存储单元。
    - 使用高速模式时,确保线路布局符合信号完整性要求,以保证传输效率和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    W25Q80EW 与标准SPI协议兼容,并且可以通过配置选择双/四通道模式。Winbond公司提供详尽的技术支持文档和参考设计,以帮助用户快速集成到现有系统中。此外,Winbond还提供客户晶圆级封装(KGD)服务,满足不同客户需求。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何设置写保护?
    A: 可以通过设置Write Protect(/WP)引脚为高电平或者发送Write Enable(06h)指令后写入特定状态寄存器位来实现。

    - Q:设备重启时应注意什么?
    A: 在重启前务必确认当前任务已正确完成并保存,避免数据丢失。重启命令可通过Enable Reset(66h)和Reset Device(99h)指令触发。

    7. 总结和推荐


    总体而言,W25Q80EW 作为一款高性能、低功耗、灵活且安全的串行闪存器件,在多个应用领域均表现出色。其支持多种操作模式和接口类型,能够适应复杂多变的应用需求。对于追求高效能、可靠性和空间节约的系统设计者来说,W25Q80EW 是一个值得推荐的选择。

W25Q80EWSNIG TR参数

参数
最小工作供电电压 1.65V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 QPI,SPI-Quad I/O
存储容量 8Mb (1M x 8)
最大供电电流 -
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 1.95V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q80EWSNIG TR数据手册

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W25Q80EWSNIG TR封装设计

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