处理中...

首页  >  产品百科  >  K4B4G0846D-BYK0

K4B4G0846D-BYK0

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: SAMSUNG
产品描述: 512MB 512Mx8 1.283V,1.425V 75mA 1.45V,1.575V 1.6GHz 8bit FBGA 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) K4B4G0846D-BYK0

K4B4G0846D-BYK0概述

    # K4B4G0446D 和 K4B4G0846D DDR3L SDRAM 技术手册综述

    产品简介


    K4B4G0446D 和 K4B4G0846D 是由三星电子生产的大容量 DDR3L SDRAM(Double Data Rate 3 Low Voltage SDRAM)。它们提供4Gb和512Mx8两种封装选择,并适用于多种应用场合,包括服务器、桌面电脑、笔记本、游戏系统及其它嵌入式设备。这些产品具备高可靠性、高速度和低功耗的特点,能够满足现代电子产品对高性能存储的需求。

    技术参数


    基本参数
    - 组织结构:1Gb x 4、2Gb x 4、4Gb x 4、8Gb x 4 或者1Gb x 8、2Gb x 8、4Gb x 8、8Gb x 8
    - 速度范围:DDR3-800 至 DDR3-1866(不同配置下的操作频率)
    - 电压范围:1.35V(1.28V 至 1.45V) 和 1.5V(1.425V 至 1.575V)
    - 引脚封装:78 球 FBGA
    性能指标
    - 时钟频率:
    - DDR3-800:800 Mb/sec/引脚
    - DDR3-1066:1066 Mb/sec/引脚
    - DDR3-1333:1333 Mb/sec/引脚
    - DDR3-1600:1600 Mb/sec/引脚
    - DDR3-1866:1866 Mb/sec/引脚
    - CAS延迟:5 至 13 个周期
    - 刷新时间:
    - 低温度范围内:7.8μs
    - 高温度范围内:3.9μs
    - 温度范围:
    - 工业温度范围:-40°C 至 95°C
    - 商用温度范围:0°C 至 85°C
    - 输出驱动电阻:34Ω (±10%)

    产品特点和优势


    1. 双倍数据速率:这些 DDR3L SDRAM 在一个时钟周期内传输两次数据,从而实现比单倍数据速率更高的数据传输率。
    2. 高密度存储:每颗芯片提供高达4Gb的存储容量,可适用于大容量存储需求的应用场景。
    3. 广泛的温度适应性:这些 SDRAM 能够在工业级温度范围内(-40°C 至 95°C)稳定运行,适用于各种恶劣环境。
    4. 低电压运行:仅需1.35V和1.5V的工作电压,大大降低了功耗,有助于延长设备的电池寿命。
    5. 灵活的配置选项:可编程的 CAS延迟、内部自校准功能和双向数据选通功能为设计提供了极大的灵活性。
    6. 高性能参数:如平均刷新周期短(7.8us),支持高数据传输率,确保系统的高效运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些 DDR3L SDRAM 广泛应用于服务器、工作站、PC、笔记本电脑、游戏机、数字标牌及其它嵌入式系统中。例如,在服务器中,K4B4G0846D 的高密度和高性能使其成为数据中心理想的内存选择。在桌面电脑和笔记本中,K4B4G0446D 则可以提供高性能的数据处理能力。
    使用建议
    - 散热管理:由于这些芯片在高速运行下会产生大量热量,因此需要有效的散热措施来保证其性能和可靠性。
    - 电源稳定性:为了获得最佳性能,必须保持稳定的 VDD 和 VDDQ 电压。任何电压波动都可能影响芯片的性能和可靠性。
    - 时序参数:在不同的速度等级下,芯片的时序参数会有所不同,设计人员需要根据具体的应用场景调整时序参数以获得最佳性能。
    - 自校准和测试:在使用过程中,应定期进行校准和测试,以确保系统正常运行并及时发现潜在问题。

    兼容性和支持


    这些 DDR3L SDRAM 符合JEDEC标准,与其他符合相同标准的组件兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括详尽的技术手册和在线技术支持。对于集成到复杂系统中的客户,三星还提供了详尽的设计指南和参考设计,以简化开发过程并确保系统的可靠性。

    常见问题与解决方案


    1. 如何确定正确的电压范围?
    - 解决方案:请查看《DIMM SPD》以获取 DDR3 SDRAM 设备支持的电压范围,并确保 VDD 和 VDDQ 在指定范围内。
    2. 如何校正输入信号时的电压摆动?
    - 解决方案:参考手册第8.1节中的 AC 与 DC 逻辑输入电平要求,通过适当调整 VREF,确保信号不会超过允许的电压摆动范围。
    3. 如何优化电路板布局以减少电磁干扰?
    - 解决方案:按照手册中的建议,保持 VDD、VDDQ 和 VREF 信号线的阻抗匹配,并尽量缩短长距离布线,以减少电磁干扰。

    总结和推荐


    K4B4G0446D 和 K4B4G0846D DDR3L SDRAM 在容量、速度和温度适应性方面表现出色,尤其适合于高性能计算和数据密集型应用。无论是服务器、工作站还是嵌入式设备,这些 SDRAM 都能提供出色的性能和可靠性。考虑到其广泛的支持和良好的文档资料,强烈推荐使用这些产品以满足各种高级应用需求。

K4B4G0846D-BYK0参数

参数
最大供电电流 75mA
最大时钟频率 1.6GHz
最大工作供电电压 1.45V,1.575V
最小工作供电电压 1.283V,1.425V
组织 512Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 -
存储容量 512MB
通用封装 FBGA
安装方式 贴片安装

K4B4G0846D-BYK0厂商介绍

SAMSUNG(三星)是一家总部位于韩国首尔的跨国电子公司,成立于1938年,是全球最大的信息技术公司之一。三星的业务涉及多个领域,包括消费电子、移动通信、半导体和显示器等。

主营产品分类:
1. 消费电子:包括电视、音响、家用电器等。
2. 移动通信:智能手机、平板电脑等。
3. 半导体:存储芯片、处理器等。
4. 显示器:液晶显示器、OLED显示器等。

应用领域:
三星的产品广泛应用于家庭、商业、工业等多个领域,如智能家居、移动办公、数据中心、医疗设备等。

三星的优势:
1. 技术创新:三星在半导体、显示器等领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 品牌影响力:三星是全球知名品牌,拥有广泛的客户基础。
3. 全球布局:三星在全球设有多个生产基地和研发中心,实现全球化运营。
4. 产业链整合:三星在多个领域拥有完整的产业链,实现从原材料到成品的一体化生产。

K4B4G0846D-BYK0数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) SAMSUNG K4B4G0846D-BYK0 K4B4G0846D-BYK0数据手册

K4B4G0846D-BYK0封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
78.C2GF4.4010B ¥ 1248.43
78.D1GMM.4010B ¥ 2193.9817
78.D2GF6.4010B ¥ 2512.8745
A3T2GF40CBF-HP ¥ 34.5943
A3T4GF40BBF-HP ¥ 25.7303
A4F08QD8BNWEME ¥ 533.3505
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 928.3476
AS4C16M16D2-25BINTR ¥ 40.0738
AS4C16M16S-7TCN ¥ 0
AS4C256M16D3LB-12BCNTR ¥ 93.1949