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K4S641632H-UC60

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: SAMSUNG
产品描述: 8MB 4Mx16 3V 160mA 3.6V 166MHz LVTTL 16bit 贴片安装
供应商型号: 11MZ-K4S641632H-UC60
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) K4S641632H-UC60

K4S641632H-UC60概述

    SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 技术手册解析

    产品简介


    SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 是一款高性能同步动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory, DRAM),由三星电子制造。它提供4种不同组织形式:4M x 4 Bit、2M x 8 Bit、1M x 16 Bit,通过引脚配置灵活适应多种应用需求。该存储器基于CMOS技术制造,具有高密度存储能力,广泛应用于各种高带宽、高性能内存系统中。

    技术参数


    以下是SDRAM 64Mb H-die的主要技术参数:
    - 容量:64 Mb
    - 频率:133 MHz 和 166 MHz
    - 接口:LVTTL
    - 封装:54-pin TSOP-II
    - 组织形式:4M x 4 / 2M x 8 / 1M x 16
    - 电压:3.3V
    - 输入逻辑电平:VIH 为 3.0V, VIL 为 0.8V
    - 输出逻辑电平:VOH 为 2.4V, VOL 为 0.4V
    - 输入泄漏电流:± 10 μA
    - 工作温度范围:0°C 至 70°C
    关键电气特性:
    - 电源电压:3.0V 至 3.6V
    - 最大行到行延迟(tRRD):12 ns 至 15 ns
    - RAS到CAS延迟(tRCD):18 ns 至 20 ns
    - 预充电时间(tRP):18 ns 至 20 ns
    - 行激活时间(tRAS):42 ns 至 49 ns
    - 行周期时间(tRC):60 ns 至 68 ns
    - 数据输出延迟(tSAC):5 ns 至 6 ns
    - 输出保持时间(tOH):2.5 ns 至 3 ns
    - 时钟高脉冲宽度(tCH):2.5 ns 至 3 ns
    - 时钟低脉冲宽度(tCL):2.5 ns 至 3 ns

    产品特点和优势


    特点:
    1. 同步设计,可实现精确的时序控制。
    2. 可编程的CAS延迟(2 和 3)、突发长度(1、2、4、8及全页)和突发类型(顺序和交错)。
    3. 支持自动刷新和自刷新模式。
    4. 拥有四个独立操作的存储库。
    优势:
    - 高性能:适用于高带宽、高性能内存系统。
    - 高可靠性:采用RoHS标准,无铅封装。
    - 灵活的组织形式:可选择4位、8位或16位的数据宽度。
    - 优异的电气特性:确保在各种环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 计算机系统:作为主内存用于PC和服务器。
    - 嵌入式系统:适用于需要高速数据访问的设备。
    - 网络设备:如路由器、交换机等,需要快速的数据处理能力。
    使用建议:
    1. 在高带宽应用中,建议设置较高的时钟频率以提高数据吞吐量。
    2. 在低温环境下使用时,注意调整电源电压和时序参数,确保稳定性。
    3. 当进行大规模数据传输时,建议使用突发读写模式,以提升效率。

    兼容性和支持


    该SDRAM存储器与同类标准兼容,支持JEDEC规范。厂商提供详尽的技术支持文档和客户支持服务,有助于用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问:数据读取不稳定怎么办?
    - 答:检查时钟信号质量和电源稳定性,调整时钟延迟参数。
    2. 问:数据输出延迟异常如何解决?
    - 答:确认输出负载条件符合要求,调节输出缓冲器参数。
    3. 问:电源电流超出限制怎么办?
    - 答:降低工作频率,增加散热措施,确保电路板布局合理。

    总结和推荐


    综评:SDRAM 64Mb H-die (x4, x8, x16) CMOS SDRAM 在技术和性能方面表现出色,具有广泛的适用性和良好的市场竞争力。它不仅具备高密度存储能力和高可靠性,还提供了多种组织形式和丰富的电气特性,适合于多种高带宽应用场合。
    推荐:鉴于其出色的表现和广泛应用前景,强烈推荐在计算机系统、嵌入式系统和网络设备等领域使用这款存储器。

K4S641632H-UC60参数

参数
最大供电电流 160mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 3V
组织 4Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 LVTTL
存储容量 8MB
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级

K4S641632H-UC60厂商介绍

SAMSUNG(三星)是一家总部位于韩国首尔的跨国电子公司,成立于1938年,是全球最大的信息技术公司之一。三星的业务涉及多个领域,包括消费电子、移动通信、半导体和显示器等。

主营产品分类:
1. 消费电子:包括电视、音响、家用电器等。
2. 移动通信:智能手机、平板电脑等。
3. 半导体:存储芯片、处理器等。
4. 显示器:液晶显示器、OLED显示器等。

应用领域:
三星的产品广泛应用于家庭、商业、工业等多个领域,如智能家居、移动办公、数据中心、医疗设备等。

三星的优势:
1. 技术创新:三星在半导体、显示器等领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 品牌影响力:三星是全球知名品牌,拥有广泛的客户基础。
3. 全球布局:三星在全球设有多个生产基地和研发中心,实现全球化运营。
4. 产业链整合:三星在多个领域拥有完整的产业链,实现从原材料到成品的一体化生产。

K4S641632H-UC60数据手册

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SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) SAMSUNG K4S641632H-UC60 K4S641632H-UC60数据手册

K4S641632H-UC60封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30+ ¥ 53.8115
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