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K4B4G1646D-BYK0

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: SAMSUNG
产品描述: 512MB 256Mx16 1.283V,1.425V 118mA 1.45V,1.575V 1.6GHz 16bit BGA
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SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) K4B4G1646D-BYK0

K4B4G1646D-BYK0概述

    K4B4G1646D DDR3L SDRAM 产品概述

    产品简介


    K4B4G1646D 是三星公司推出的一款4Gb DDR3L SDRAM内存芯片,专为各种高性能计算、数据中心和通信设备而设计。这款内存芯片提供16位的数据宽度,采用96球FBGA封装形式,符合RoHS标准且无铅无卤素。K4B4G1646D 支持DDR3L-1333到DDR3L-1866的速度等级,最高可达1866Mb/sec/pin的数据传输率。

    技术参数


    K4B4G1646D 的关键技术和性能参数如下:
    - 工作电压:1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)
    - 数据速率:最高支持1866Mb/sec/pin
    - 组织结构:32Mbit x 16I/Os x 8banks
    - 速度等级:从DDR3-800到DDR3-1866不等
    - 时序参数:例如,tCK(min)、tRCD(min)、tRP(min)、tRAS(min)、tRC(min)等详细规格见下表:

    | 速度等级 | tCK(min) (ns) | CAS Latency (nCK) | tRCD(min) (ns) | tRP(min) (ns) | tRAS(min) (ns) | tRC(min) (ns) |
    ||
    | DDR3-800 | 2.5 | 6 | 15 | 15 | 37.5 | 52.5 |
    | DDR3-1066 | 1.875 | 7 | 13.125 | 13.125 | 37.5 | 50.625 |
    | DDR3-1333 | 1.5 | 9 | 13.5 | 13.5 | 36 | 49.5 |
    | DDR3-1600 | 1.25 | 11 | 13.75 | 13.75 | 35 | 48.75 |
    | DDR3-1866 | 1.071 | 13 | 13.91 | 13.91 | 34 | 47.91 |

    产品特点和优势


    K4B4G1646D的主要特点和优势包括:
    - 高数据传输率:支持高达1866Mb/sec/pin的数据传输率,适用于需要高速传输的应用场景。
    - 多种操作模式:支持多种编程的CAS延迟(CL)、写延迟(CWL)、预取模式等,灵活性高。
    - 内部自校准功能:通过ZQ引脚进行内部自校准,确保数据传输的稳定性和准确性。
    - 环境适应性强:支持工业温度范围(-40°C ~ 95°C),适用于恶劣环境下的应用。
    - 低功耗:支持多种低功耗模式,如Precharge Power-Down和Self Refresh,适合便携式设备使用。

    应用案例和使用建议


    K4B4G1646D 主要应用于高性能计算、服务器、网络通信设备、工业控制等领域。以下是一些具体的应用案例和使用建议:
    - 数据中心服务器:适用于存储服务器,由于其高数据传输率和低功耗特性,能够提高服务器的整体性能和能效。
    - 网络通信设备:在路由器、交换机等设备中,K4B4G1646D 可以实现高效的数据处理和传输,提升网络设备的响应速度和稳定性。
    - 工业控制系统:对于需要在恶劣环境下工作的工业设备,K4B4G1646D 的工业温度范围特性使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 在应用过程中,需确保电源电压稳定在1.35V或1.5V之间,以保证最佳性能。
    - 使用内部自校准功能前,确保VREFCA稳定并持续维持。
    - 在需要快速切换操作模式时,注意合理设置相关时序参数,如CL、CWL等。

    兼容性和支持


    K4B4G1646D 与多数现有的DDR3L系统兼容,可通过编程灵活调整其工作模式。厂商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,如有任何疑问可联系最近的三星办公处获取帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及解决方法:
    1. 问题:无法正常启动。
    - 解决方案:检查电源电压是否在指定范围内(1.35V~1.5V),确认所有命令输入正确。

    2. 问题:数据传输不稳定。
    - 解决方案:确保时钟信号和控制信号同步,检查内部自校准功能是否启用。

    总结和推荐


    K4B4G1646D DDR3L SDRAM是一款高性能、多功能的内存芯片,尤其适合于需要高数据传输率和强环境适应性的应用场合。其强大的功能和稳定性使得它在多个行业领域中都有广泛的应用前景。因此,我们强烈推荐在需要高性能内存解决方案的项目中使用K4B4G1646D。

K4B4G1646D-BYK0参数

参数
最大供电电流 118mA
最大时钟频率 1.6GHz
最大工作供电电压 1.45V,1.575V
最小工作供电电压 1.283V,1.425V
组织 256Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 -
存储容量 512MB
通用封装 BGA

K4B4G1646D-BYK0厂商介绍

SAMSUNG(三星)是一家总部位于韩国首尔的跨国电子公司,成立于1938年,是全球最大的信息技术公司之一。三星的业务涉及多个领域,包括消费电子、移动通信、半导体和显示器等。

主营产品分类:
1. 消费电子:包括电视、音响、家用电器等。
2. 移动通信:智能手机、平板电脑等。
3. 半导体:存储芯片、处理器等。
4. 显示器:液晶显示器、OLED显示器等。

应用领域:
三星的产品广泛应用于家庭、商业、工业等多个领域,如智能家居、移动办公、数据中心、医疗设备等。

三星的优势:
1. 技术创新:三星在半导体、显示器等领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 品牌影响力:三星是全球知名品牌,拥有广泛的客户基础。
3. 全球布局:三星在全球设有多个生产基地和研发中心,实现全球化运营。
4. 产业链整合:三星在多个领域拥有完整的产业链,实现从原材料到成品的一体化生产。

K4B4G1646D-BYK0数据手册

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SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) SAMSUNG K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0数据手册

K4B4G1646D-BYK0封装设计

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