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K4B2G1646B-HCF8000

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: SAMSUNG
产品描述: 256MB 128Mx16 1.425V 185mA 1.575V 1.066GHz SSTL_1.5 16bit BGA 贴片安装 13.3mm*9mm*750μm
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SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) K4B2G1646B-HCF8000

K4B2G1646B-HCF8000概述

    2Gb DDR3 SDRAM K4B2G04(08/16)46B 技术手册

    1. 产品简介


    2Gb DDR3 SDRAM(K4B2G04(08/16)46B)是三星公司生产的一款高性能内存芯片,专为各种嵌入式系统、服务器和高端计算设备设计。这款内存采用B-die工艺制造,容量为2Gb,提供8个银行,采用78球FBGA封装(x4/x8配置)和96球FBGA封装(x16配置)。支持双倍数据速率传输(Double Data Rate),速度最高可达1600 Mb/sec/针(DDR3-1600),以满足高速数据处理的需求。

    2. 技术参数


    - 电源电压:JEDEC标准1.5V ± 0.075V(VDDQ = 1.5V ± 0.075V)
    - 时钟频率:400 MHz(800 Mb/sec/针),533 MHz(1066 Mb/sec/针),667 MHz(1333 Mb/sec/针),800 MHz(1600 Mb/sec/针)
    - 地址和控制输入:所有地址和控制输入信号均同步于外部提供的差分时钟信号(CK 和 CK)。输入信号在正向CK边沿与反向CK边沿交叉点处采样。
    - 刷新周期:低至85°C时,平均刷新周期为7.8 us;85°C到95°C之间,平均刷新周期为3.9 us。
    - 封装:78球FBGA(x4/x8配置)和96球FBGA(x16配置)
    - 封装尺寸:
    - 78球FBGA:尺寸为9.00 ± 0.10 mm x 9.60 mm x 6.40 mm
    - 96球FBGA:尺寸为9.00 ± 0.10 mm x 13.30 mm x 6.40 mm

    3. 产品特点和优势


    1. 高数据传输率:支持高达1600 Mb/sec/针的数据传输率,适用于高速应用。
    2. 多工作模式:支持多种编程模式,如Programmable CAS Latency(6, 7, 8, 9, 10),Programmable Additive Latency(0, CL-2或CL-1时钟),以及Programmable CAS Write Latency(CWL)。
    3. 内部自校准:通过ZQ引脚实现内部自校准,保证数据传输的稳定性。
    4. 双向差分数据选通:减少信号失真和噪声,提高数据可靠性。
    5. 环保材料:所有产品均为无铅和无卤素封装,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器存储:2Gb DDR3 SDRAM适用于服务器存储系统,可大幅提升存储带宽和响应速度。
    - 嵌入式系统:可用于高性能嵌入式系统,提供快速的数据读写能力。
    - 图形处理:在GPU和其他图形处理设备中,用于缓存大量图像数据。
    - 使用建议:在使用过程中,应注意保持电源电压稳定,并遵循数据手册中的输入/输出电平要求。在进行高速数据传输时,需注意时钟抖动和信号完整性问题。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与多种主控芯片兼容,包括各类处理器和内存控制器。用户可根据实际需求选择不同封装配置(x4/x8/x16)。
    - 支持服务:提供详尽的技术文档和支持服务,用户可通过三星官网或当地代理商获取更多资料和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:电源电压不稳导致系统运行异常。
    - 解决方案:确保电源电压稳定在1.5V ± 0.075V范围内,必要时增加稳压电路。
    - 问题二:数据传输错误。
    - 解决方案:检查信号完整性,确保数据线和时钟线布局合理,避免过长走线和信号干扰。
    - 问题三:无法正常刷新。
    - 解决方案:确保系统内有正确的刷新命令,必要时调整刷新周期设置。

    7. 总结和推荐


    2Gb DDR3 SDRAM(K4B2G04(08/16)46B)是一款出色的内存解决方案,具备高速数据传输、多种工作模式以及良好的兼容性和环保特性。它特别适合应用于服务器、嵌入式系统和图形处理等领域。鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用这款产品。但在使用过程中,仍需注意电源管理和信号完整性等问题,以充分发挥其性能。

K4B2G1646B-HCF8000参数

参数
最大供电电流 185mA
最大时钟频率 1.066GHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 128Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 SSTL_1.5
存储容量 256MB
长*宽*高 13.3mm*9mm*750μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级

K4B2G1646B-HCF8000厂商介绍

SAMSUNG(三星)是一家总部位于韩国首尔的跨国电子公司,成立于1938年,是全球最大的信息技术公司之一。三星的业务涉及多个领域,包括消费电子、移动通信、半导体和显示器等。

主营产品分类:
1. 消费电子:包括电视、音响、家用电器等。
2. 移动通信:智能手机、平板电脑等。
3. 半导体:存储芯片、处理器等。
4. 显示器:液晶显示器、OLED显示器等。

应用领域:
三星的产品广泛应用于家庭、商业、工业等多个领域,如智能家居、移动办公、数据中心、医疗设备等。

三星的优势:
1. 技术创新:三星在半导体、显示器等领域拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 品牌影响力:三星是全球知名品牌,拥有广泛的客户基础。
3. 全球布局:三星在全球设有多个生产基地和研发中心,实现全球化运营。
4. 产业链整合:三星在多个领域拥有完整的产业链,实现从原材料到成品的一体化生产。

K4B2G1646B-HCF8000数据手册

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SAMSUNG 动态随机存储器(DRAM) SAMSUNG K4B2G1646B-HCF8000 K4B2G1646B-HCF8000数据手册

K4B2G1646B-HCF8000封装设计

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