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UMB3NTN

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ROHM
产品描述: 300mV@ 2.5mA,5mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 150mW 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: AMS-UMB3NTN
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ROHM 三极管(BJT) UMB3NTN

UMB3NTN概述

    EMB3 / UMB3N / IMB3A 双数字晶体管技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: EMB3 / UMB3N / IMB3A 是一种通用的双数字晶体管(Dual Digital Transistor),适用于各种广泛的电子应用。
    主要功能: 它们能够作为开关或放大器使用,具有低饱和电压和高电流增益,可以提供稳定的信号传输。
    应用领域: 这些晶体管广泛应用于逆变器(Inverter)、接口电路(Interface)和驱动电路(Driver)。

    2. 技术参数


    电气特性
    - 最大电压: 集电极-基极电压 (VCBO) 和集电极-发射极电压 (VCEO) 均为 -50V。
    - 最大电流: 集电极电流 (IC) 最大值为 -100mA。
    - 最大功耗: EMB3 和 UMB3N 的总功率耗散 (PD) 为 150mW;IMB3A 的总功率耗散 (PD) 为 300mW。
    - 工作温度范围: 结温 (Tj) 和存储温度范围 (Tstg) 分别为 -55℃ 到 +150℃。
    其他电气特性
    - 击穿电压: 集电极-基极 (BVCBO)、集电极-发射极 (BVCEO) 和发射极-基极 (BVEBO) 分别为 -50V、-50V 和 -5V。
    - 截止电流: 集电极截止电流 (ICBO) 和发射极截止电流 (IEBO) 均为 -500nA。
    - 饱和电压: 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) 在 -300mV 以下。
    - 电流增益 (hFE): 100 至 600 范围内可调。
    - 输入电阻 (R1): 3.29kΩ 至 6.11kΩ。
    - 过渡频率 (fT): 250MHz。

    3. 产品特点和优势


    - 双重晶体管设计: 单个封装内包含两个独立的DTA143T芯片,有效减少了干扰。
    - 自动化贴装兼容性: 支持自动贴装机(EMT3, UMT3, SMT3),降低了制造成本。
    - 独立晶体管元素: 消除了干扰,提高了系统的稳定性。
    - 节省成本: 通过减少贴装成本和面积,总体成本可以降低一半。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 逆变器 (Inverter): 用于电源转换和能量控制。
    - 接口电路 (Interface): 在微控制器和传感器之间提供可靠的信号传输。
    - 驱动电路 (Driver): 控制电机和其他高电流负载。
    使用建议
    - 散热管理: 确保良好的散热以避免过热,特别是在高功率应用中。
    - 环境适应性: 尽量避免在极端环境中使用,如直接阳光、腐蚀性气体等。
    - 保护措施: 使用保护电路和冗余设计来提高系统可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型: EMB3 使用 SOT-563 封装,UMB3N 使用 SOT-363 封装,IMB3A 使用 SOT-457 封装。
    - 制造商支持: ROHM 提供详细的安装和电路板设计指南,确保用户正确安装和使用产品。
    - 外部电路设计: 在更改外部电路常数时,应留有足够的余量以考虑产品特性和外部组件的变化。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何处理静电敏感?
    - 解决方案: 在制造和存储过程中采取适当的防静电措施,如接地、隔离和湿度控制。
    - 问题2: 功率耗散超过规定值会怎样?
    - 解决方案: 根据环境温度降额功率耗散 (Pd),确保操作温度在指定范围内。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 高电流增益、低饱和电压、独立的晶体管设计和低成本制造。
    - 推荐: EMB3 / UMB3N / IMB3A 适用于需要高可靠性和低干扰的多种电子应用,特别是在逆变器、接口和驱动电路中表现出色。我们强烈推荐这些产品用于上述应用场景。
    这些晶体管的高效性和广泛适用性使得它们成为市场上同类产品中的佼佼者。如果您正在寻找高性能、经济高效的解决方案,EMB3 / UMB3N / IMB3A 是一个理想的选择。

UMB3NTN参数

参数
集电极截止电流 500nA
集电极电流 100mA
最大功率耗散 150mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 250µA,5mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 2.5mA,5mA
配置
VEBO-最大发射极基极电压 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UMB3NTN厂商介绍

ROHM是一家全球知名的半导体制造商,总部位于日本京都。公司专注于开发和生产各种半导体产品,包括集成电路、分立元件、传感器等,广泛应用于汽车、工业、消费电子和通信等领域。

ROHM的主营产品可以分为以下几类:
1. 模拟产品:包括放大器、电源管理、接口等。
2. 逻辑产品:包括各种逻辑IC和存储器。
3. 传感器:包括光、温度、湿度等传感器。
4. 无线通信:包括蓝牙、Wi-Fi等无线通信模块。
5. 分立元件:包括二极管、晶体管等。

ROHM的优势在于:
1. 技术创新:ROHM不断研发新技术,提供高性能、低功耗的产品。
2. 品质保证:ROHM严格把控产品质量,提供可靠的解决方案。
3. 客户服务:ROHM提供全方位的技术支持和客户服务,满足客户需求。
4. 环保意识:ROHM注重环保,致力于开发绿色、节能的产品。

UMB3NTN数据手册

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ROHM 三极管(BJT) ROHM UMB3NTN UMB3NTN数据手册

UMB3NTN封装设计

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